一种MOM电容值的实现方法技术

一种MOM电容值的实现方法，包括以下步骤：1）定义语法格式转换函数；2）获取Spice Model中的定义信息；3）定义电容值相关参数为所述转换函数接口；4）根据所述转换函数接口生成所述电容值的计算函数。本发明专利技术的一种MOM电容值的实现方法，能够满足前端模拟设计工程师在选择MOM PCell参数后，PCell显示的电容值参数更接近实际仿真的电容值参数。

A method to realize the capacitance of mom

【技术实现步骤摘要】
一种MOM电容值的实现方法
本专利技术涉及集成电路工艺设计库
，特别是涉及一种MOM电容值的实现方法。
技术介绍
PDK（ProcessDesignKit，工艺设计工具包）中的MOMPCell（Metal-Oxide-MeterParameterizedCell，金属-氧化物-金属参数化单元）包括长、宽、上下金属层数、阵列数等CDF（ComponentDescriptionFormat，组件描述格式参数），IC（IntegratedCircuit，集成电路）模拟设计前端工程师可通过输入调整这些参数来评估所要使用的MOM单元电容值是否适合当前电路需要。MOMPCell中的电容值计算公式一般是通过在Callback函数中，用通用电容公式，以及跟Modelowner沟通简化Model中具体的工艺参数值来计算实现。对于Model中计算公式比较复杂，涉及到的工艺参数比较多的情况，尤其是先进工艺的MOMSpiceModel定义，MOM电容的计算公式与更多的CDF参数有关，因此，需要用更加准确快捷的计算方法实现对MOM电容值的预估计算，才能满足使用PDK的模拟设计者的需求。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种MOM电容值的实现方法，能够满足前端模拟设计工程师在选择MOMPCell参数后，PCell显示的电容值参数更接近实际仿真的电容值参数。为实现上述目的，本专利技术提供的MOM电容值的实现方法，包括以下步骤：1）定义语法格式转换函数；2）获取SpiceModel中的定义信息；3）定义电容值相关参数为所述转换函数接口；4）根据所述转换函数接口生成所述电容值的计算函数。进一步地，还包括，在回调函数中引用所述计算函数。进一步地，所述步骤1）进一步包括，在脚本中定义将SpiceModel语法格式转换成tcl语法格式的函数。进一步地，所述步骤2）进一步包括，根据所述转换函数获取所述SpiceModel中所有定义的仿真系数，计算公式，以及判断条件信息。进一步地，所述步骤4）进一步包括以下步骤：41）对所述SpiceModel中层级调用的参数进行初始化和例化；42）筛选并删除与计算所述电容值无关的信息；43）处理所述SpiceModel中的所述参数信息；44）提取所述SpiceModel中定义的所述电容值计算公式并用tcl语法实现。进一步地，所述步骤41）进一步包括，指定转换的器件名称；设置所述转换函数接口输入变量的初始值；设置所述spicemodel中未定义参数的初始值。进一步地，所述步骤43）进一步包括，将所述spice中的变量赋值定义的空格和“+/-/*/…”符号格式标准化，不同的所述参数赋值加回车换行；进一步地，还包括，显示计算后的所述电容值。为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行如上文所述的MOM电容值的实现方法步骤。为实现上述目的，本专利技术还提供一种MOM电容值的实现设备，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行如上文所述的MOM电容值的实现方法步骤。本专利技术的一种MOM电容值的实现方法，具有以下有益效果：1）能够有效避免同Spicemodelowner沟通Model计算公式的偏差，更加快速准确的提取Spicemodel的定义。2）在PCell中实现对MOM电容值的预估计算。3）满足使用PDK的模拟设计者在电路中对MOMPCell尺寸进行选择的需求。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为根据本专利技术的一种MOM电容值的实现方法流程图；图2为根据本专利技术的等效电路公式示意图；图3为根据本专利技术的一种MOM电容值的实现方法实施例一示意图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为根据本专利技术的一种MOM电容值的实现方法流程图，下面将参考图1，对本专利技术的一种MOM电容值的实现方法进行详细描述。首先，在步骤101，在参数提取脚本中定义语法格式转换函数。该步骤中，在参数提取脚本中定义可以把spicemodel语法格式转换成支持CDF（ComponentDescriptionFormat，组件描述格式参数）callback的tcl（ToolCommandLanguage，工具命令语言）语法格式的函数。在步骤102，抽取MOMSpiceModel中的所有的定义信息。该步骤中，抽取MOMspicemodel中的所有定义的仿真系数，计算公式，以及判断条件信息。图2为根据本专利技术的等效电路公式示意图，如图2所示，MOM简化的等效公式：Carea_m2m2=K*(H*L)/SCarea_m1m2=K*(W*L)/THKCfringe_m2m2∝K*W*Ln(1+2*W/S)Cfringe_m1m2∝K*H*Ln(1+2*H/THK)其中，W/S/L/H分别为金属层的宽度（width）、空间（space）、长度（length）、厚度（thickness），THK为介质层的THK（上下两层金属层metal之间的间隙gap）K一般代表温度影响系数，噪声影响系数，单位侧壁电容等效值系数，单位平板电容的等效值系数等等。计算公式包括针对等效电路中的，对各个影响系数的加，减，乘，除，幂值，平方等运算，如图2中简单的等效电路公式。同时，计算公式中会包括对不同model接口的实例参数的判断，来对计算公式中考虑的系数进行加权，从而准确的表征不同层，不同尺寸的MOM电容值。在步骤103，在转换函数中定义影响电容值的CDF参数作为函数的接口。该步骤中，CDF参数包括MOM的长度（length），宽度（width），金手指（fingers），底层金属层数（bottommetallayerNumber），顶层金属层数（topmetallayernumber），阵列结构中MOM器件的数目（thenumberofMOMdeviceinarraystructure）不同屏蔽类型的开关（theswitchofdifferentshieldtype）等。在步骤104，将SpiceModel定义的仿真模型公式转化成回调函数中的MOM电容值计算公式。该步骤中，把spicemodel定义的器件仿真模型公式转化成Callback中用到的MOM电容值计算公式。优选地，转化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOM电容值的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）定义语法格式转换函数；/n2）获取MOM Spice Model中的定义信息；/n3）定义电容值相关参数为所述转换函数接口；/n4）根据所述转换函数将MOM Spice Model中定义的电容值计算公式，生成所述PCell中电容值计算的回调函数。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOM电容值的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）定义语法格式转换函数；
2）获取MOMSpiceModel中的定义信息；
3）定义电容值相关参数为所述转换函数接口；
4）根据所述转换函数将MOMSpiceModel中定义的电容值计算公式，生成所述PCell中电容值计算的回调函数。


2.根据权利要求1所述的MOM电容值的实现方法，其特征在于，还包括，在回调函数中引用所述计算函数。


3.根据权利要求1所述的MOM电容值的实现方法，其特征在于，所述步骤1）进一步包括，在脚本中定义将spice模型语法格式转换成tcl语法格式的函数。


4.根据权利要求1所述的MOM电容值的实现方法，其特征在于，所述步骤2）进一步包括，根据所述转换函数获取所述SpiceModel中所有定义的仿真系数，计算公式，以及判断条件信息。


5.根据权利要求1所述的MOM电容值的实现方法，其特征在于，所述步骤4）进一步包括以下步骤：
41）对所述SpiceModel中层级调用的参数进行初始化和例化；
42）筛选并删除与计算所述电容值无关的信息；
43）处理所述SpiceModel中的所述参数信息；
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【专利技术属性】
技术研发人员：牛欢欢，朱能勇，束涛，李萍，郭春晖，刘伟平，
申请(专利权)人：南京九芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32