一种OLED模型参数提取的方法技术

一种OLED模型参数提取方法，包括以下步骤：1）建立参数提取模型；2）确认参数类型和初始值；3）建立反映测量值和仿真值差值的误差函数；4）采用L‑M法和单纯形法进行优化求解。本发明专利技术的OLED模型参数提取方法，能够减轻人工调参的工作量和时间，提高了效率。

A method for parameter extraction of OLED model

【技术实现步骤摘要】
一种OLED模型参数提取的方法
本专利技术涉及器件模型
，特别是涉及一种OLED模型参数提取的方法。
技术介绍
OLED器件目前已经提出了多种模型，但是关于模型参数的提取并没有一个很好的解决方案，很多都是手动人工调参来建立模型。因此本专利技术提出了一种利用算法进行OLED模型参数提取的方法，提高了参数提取的效率。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种OLED模型参数提取方法，能够减轻人工调参的工作量和时间，提高了效率。为实现上述目的，本专利技术提供的一种OLED模型参数提取方法，包括以下步骤：1）建立参数提取模型；2）确认参数类型和初始值；3）建立反映测量值和仿真值差值的误差函数；4）采用L-M法和单纯形法进行优化求解。进一步地，所述步骤1）进一步包括，分别建立电流-电压参数提取模型和电容-电压参数提取模型。进一步地，所述电流-电压模型参数包括，饱和电流密度，发射系数，二极管串联电阻值，电流串联电阻，漏电阻，电流电压源；所述电容-电压模型参数包括，电容，电容参数，梯度系数，二极管内接触电势，电容串联电阻，电容电压源。进一步地，所述电流-电压提取模型，进一步包括，所述电流串联电阻与OLED器件串联，所述漏电阻与所述OLED器件和所述电流串联电阻并联，所述电流电压源与总电流电路串联；所述电容-电压提取模型，进一步包括，所述电容串联电阻和所述电容电压源与OLED器件串联，所述电容与总电容电路并联。进一步地，所述步骤3）进一步包括，将每一个点对应电压的测量值和仿真值相减，得到的差值向量f，误差函数为F=0.5*（fT*f）。进一步地，对所述电流-电压模型进行调试，包括一下步骤：1）将电流-电压测量值数据根据电压的正负数值分为两部分；2）建立调试的误差函数：先对电流仿真值和测量值对数化，然后取对数化后的电流数据的差值向量f，误差函数为F=0.5*(fT*f)来作为误差函数；3）在v>0的区域进行Js，N，Rs，r1iv，viv五个参数的调试：a.选取所要调参的数据范围（v>0）；b.将五个参数名和其对应的初始值和区间输入L-M优化函数中；c.满足迭代终止条件后，得到输出的参数值。4）在v<0的区域进行r2iv的调试：a.选取所要调参的数据范围（v<0）；b.将参数名和对应的初始值和区间输入至L-M优化函数中；c.满足迭代条件后，得到输出的参数值。更进一步地，对所述电流-电压模型进行调试，包括一下步骤：1）取电容的测量值和仿真值的差值向量为f，误差函数为F=0.5*(fT*f)；2）在二极管未导通的区域应用L-M法进行Cg参数的调试：a.选取所要调参的数据范围（v<0）；b.将参数名和其对应的初始值和区间输入L-M优化函数中；c.满足迭代终止条件后，得到输出的参数值；3）在二极管导通的区域应用单纯形法进行Cj，Mj，PB，r1cv，vcv五个参数的调试：a.选取所要调参的数据范围（v>0）；b.将五个参数名和其对应的初始值和区间输入单纯形法优化函数中；c.满足迭代终止条件后，得到输出的参数值。为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行如上文所述的OLED模型参数提取方法步骤。为实现上述目的，本专利技术还提供一种OLED模型参数提取装置，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行如上文所述的OLED模型参数提取方法步骤。本专利技术的一种OLED模型参数提取方法，具有以下有益效果：1）解决OLED模型的参数提取流程效率不高的问题，给参数提取提供了一种可以较快得到结果的方法，使得工作效率更高。2）能够快速且准确的使得OLED器件模型的I-V，C-V曲线得到较好的拟合，并且给出所改变参数的值。3）减轻了人工调参的工作量和时间，提高了效率。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为根据本专利技术的OLED模型参数提取方法流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为根据本专利技术的OLED模型参数提取方法流程图，下面将参考图1，对本专利技术的OLED模型参数提取方法进行详细描述。首先，在步骤101，建立参数提取模型。该步骤中，建立OLED提取模型，将I-V（电流-电压）和C-V（电容-电压）的参数提取分开。本专利技术实施例中，I-V的提取在OLED的器件上串联一个电阻r1iv，然后在OLED和r1iv上并联一个漏电阻r2iv，最后在总的电路上串联一个电压源。本专利技术实施例中，C-V的提取在OLED器件上串联一个电阻r1cv和一个电压源，之后在整个电路上并联一个电容Cg。在步骤102，根据所建立模型的物理公式确定参数类型，根据参数类型的物理意义确定参数范围，在参数范围内进行初始值选取。该步骤中，将提取的OLED模型参数分为I-V和C-V两个部分。本专利技术实施例中，I-V部分的重要模型参数有：饱和电流密度Js，发射系数N，二极管串联电阻值Rs，iv串联电阻r1iv，漏电阻r2iv，iv电压源viv。本专利技术实施例中，C-V部分的重要模型参数有：并联电容Cg，电容参数Cj，梯度系数Mj，二极管内建接触电势PB，cv串联电阻r1cv，cv电压源vcv。在步骤103，建立反映测量值和仿真值差值的误差函数。本专利技术实施例中，是将每一个点对应电压的测量值和仿真值相减，得到的差值向量f，误差函数为F=0.5*（fT*f），其中，T为f的转置。在步骤104，采用L-M法和单纯形法进行优化求解。本专利技术实施例中，OLED模型I-V部分的调试过程，包括：1）将i-v测量值数据根据电压的正负数值分为两部分。2）建立调试的误差函数：先对电流仿真值和测量值对数化，然后取对数化后的电流数据的差值向量f，误差函数为F=0.5*(fT*f)来作为误差函数。3）在v>0的区域进行Js，N，Rs，r1iv，viv五个参数的调试：a.选取所要调参的数据范围（v>0）；b.将五个参数名和其对应的初始值和区间输入L-M优化函数中；c.满足迭代终止条件后，得到输出的参数值。4）在v<0的区域进行r2iv的调试：a.选取所要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED模型参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）建立参数提取模型；/n2）确认参数类型和初始值；/n3）建立反映测量值和仿真值差值的误差函数；/n4）采用L-M法和单纯形法进行优化求解。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED模型参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）建立参数提取模型；
2）确认参数类型和初始值；
3）建立反映测量值和仿真值差值的误差函数；
4）采用L-M法和单纯形法进行优化求解。


2.根据权利要求1所述的OLED模型参数提取方法，其特征在于，所述步骤1）进一步包括，分别建立电流-电压参数提取模型和电容-电压参数提取模型。


3.根据权利要求2所述的一种OLED模型参数提取方法，其特征在于，
所述电流-电压模型参数包括，饱和电流密度，发射系数，二极管串联电阻值，电流串联电阻，漏电阻，电流电压源；
所述电容-电压模型参数包括，电容，电容参数，梯度系数，二极管内接触电势，电容串联电阻，电容电压源。


4.根据权利要求3所述的OLED模型参数提取方法，其特征在于，
所述电流-电压提取模型，进一步包括，所述电流串联电阻与OLED器件串联，所述漏电阻与所述OLED器件和所述电流串联电阻并联，所述电流电压源与总电流电路串联；
所述电容-电压提取模型，进一步包括，所述电容串联电阻和所述电容电压源与OLED器件串联，所述电容与总电容电路并联。


5.根据权利要求1所述的OLED模型参数提取方法，其特征在于，所述步骤3）进一步包括，将每一个点对应电压的测量值和仿真值相减，得到的差值向量f，误差函数为F=0.5*（fT*f），其中，T为f的转置。


6.根据权利要求2所述的OLED模型参数提取方法，其特征在于，对所述电流-电压模型进行调试，包括一下步骤：
1）将电流-电压测量值数据根据电压的正负数值分为两部分；
2）建立调试的误差函数：先对电流仿真值和测量值对数化，然后取对数化后的电流数据的差值向量f，误差函数为F=0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张万鑫，杨思琪，李翡，刘伟平，
申请(专利权)人：南京九芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32