一种OLED子电路模型制造技术

一种OLED子电路模型，包括：表征电流‑电压特性的电流‑电压模块和表征电容‑电压特性的电容‑电压模块；所述电流‑电压模块，包括，第一二极管、第一电流电阻、第二电流电阻、第一电压源；所述电容‑电压模块，包括，第二二极管、电容电阻、第二电压源、电容。本发明专利技术的OLED子电路模型，能够提供仿真精度高，兼顾静态及动态电学性能的模型。

An OLED sub circuit model

【技术实现步骤摘要】
一种OLED子电路模型
本专利技术涉及PDK开发
，特别是涉及一种OLED子电路模型。
技术介绍
目前有多种oled子电路模型，图1为现有技术中的一种OLED子电路模型，如图1所示，这是一种简化的单二极管模型，可以较好地模拟出oled的电学特性，但是不能用同一组参数同时模拟oled的动态电学特性和静态电学特性。图2为现有技术中的另一种OLED子电路模型，如图2所示，此模型提高了C-V曲线的拟合精度。该模型利用理想二极管来实现分段线性模型，但是偏置电压较大处曲线无法拟合，且电路较复杂。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种OLED子电路模型，能够同时准确表征OLED的电流-电压特性以及电容-电压特性，为研发人员提供仿真精度较高，兼顾器件的静态及动态电学性能的新型模型。为实现上述目的，本专利技术提供的OLED子电路模型，包括：表征电流-电压特性的电流-电压模块和表征电容-电压特性的电容-电压模块；所述电流-电压模块，包括，第一二极管、第一电流电阻、第二电流电阻、第一电压源；所述电容-电压模块，包括，第二二极管、电容电阻、第二电压源、电容。进一步地，所述第一二极管的正极、所述第二电流电阻的一端、所述第二二极管的正极、所述电容的一端相连接；所述第一二极管的负极与所述第一电流电阻的一端相连接；所述第一电流电阻的另一端、所述第二电流电阻另一端、所述第一电压源的一端相连接；所述第二二极管负极与所述电容电阻的一端相连接；所述电容电阻的另一端与所述第二电压源的一端相连接；所述第一电压源的另一端与所述第二电压源的另一端、所述电容的另一端相连接。进一步地，所述第一二极管，用于表示电路的整流特性；所述第一电流电阻，用于表示寄生串联电阻；所述第二电流电阻，用于表示漏电阻。进一步地，所述第二二极管，用于表示电路的整流特性；所述电容电阻，用于表示寄生串联电阻；所述电容，用于表示电路的体电容。进一步地，当所述第一二极管两端电压低于阈值电压时，电流-电压特性由所述第二电流电阻表示；当所述第一二极管两端电压高于阈值电压时，电流-电压特性由所述第一电流电阻表示。更进一步地，当所述第二二极管两端电压低于阈值电压时，所述电容-电压特性由所述电容表示；当所述第二二极管两端电压高于阈值电压时，所述电容-电压特性由所述电容电阻表示。本专利技术的一种OLED子电路模型，具有以下有益效果：1）可同时准确表征OLED的电流-电压特性以及电容-电压特性。2）为研发人员提供仿真精度较高，兼顾器件的静态及动态电学性能的新型模型。3）通过本模型得到的OLED电学特性仿真结果，静态特性与动态特性均可与所得实验数据良好拟合。4）此模型可用于准确评估OLED的动静态电学特性，同时可以用于指导OLED的设计及应用。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为现有技术中的一种OLED子电路模型；图2为现有技术中的另一种OLED子电路模型；图3为根据本专利技术的OLED子电路模型等效电路图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为根据本专利技术的OLED子电路模型等效电路图，如图1所示，对本专利技术的OLED子电路模型，包括，电流-电压模块、电容-电压模块，其中，电流-电压模块，用于表征电流-电压特性；电容-电压模块用于表征电容-电压特性。电流-电压模块，包括，第一二极管diodeiv1、第一电流电阻r1iv，第二电流电阻r2iv，第一电压源viv。电容-电压模块，包括，第二二极管diodeiv2、电容电阻r1cv、第二电压源vcv，电容C。其中，第一二极管diodeiv1正极、第二电流电阻r2iv的一端、第二二极管diodeiv2正极、电容C的一端相连接。第一二极管diodeiv1的负极与第一电流电阻r1iv的一端相连接。第一电流电阻r1iv的另一端、第二电流电阻r2iv另一端、第一电压源viv的一端相连接。第二二极管diodeiv2负极与电容电阻r1cv的一端相连接；电容电阻r1cv的另一端与第二电压源vcv的一端相连接。第一电压源viv的另一端与第二电压源vcv的另一端、电容C的另一端相连接。具体地，在电流-电压模块中，第一二极管diodeiv1表示OLED的整流特性；第一电流电阻r1iv代表寄生串联电阻；第二电流电阻r2iv代表漏电阻；第一电压源viv代表内建电势。第一二极管diodeiv1两端电压低于其阈值电压时，第一二极管diodeiv1截止，OLED的电流-电压特性主要由第二电流电阻r2iv表现；第一二极管diodeiv1两端电压高于阈值电压时，电流-电压特性主要由第一电流电阻r1iv表现。具体地，在电容-电压模块中，第二二极管diodecv2代表OLED的整流特性；电容电阻r1cv代表寄生串联电阻；第二电压源vcv代表内建电势；电容C代表OLED的体电容。第二二极管diodecv2两端电压低于其阈值电压时，第二二极管diodecv2截止，OLED的电容-电压特性表现为电容C的电容值；第二二极管diodecv2两端电压高于阈值电压时，电容-电压特性由电容电阻r1cv决定。经验证，该模型的动静态电学特性的仿真曲线结果与所得实验数据可实现良好拟合。具体验证步骤如下：（1）按照等效电路建立子电路spice模型（2）将模型网表放入仿真软件中运行（3）对比动静态电学特性的实测数据与仿真数据的RMS值。RMS值在1%左右，证明新建模型的仿真曲线结果可以与实测数据良好地拟合。本领域普通技术人员可以理解：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED子电路模型，其特征在于，/n包括：表征电流-电压特性的电流-电压模块和表征电容-电压特性的电容-电压模块；/n所述电流-电压模块，包括，第一二极管、第一电流电阻、第二电流电阻、第一电压源；/n所述电容-电压模块，包括，第二二极管、电容电阻、第二电压源、电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED子电路模型，其特征在于，
包括：表征电流-电压特性的电流-电压模块和表征电容-电压特性的电容-电压模块；
所述电流-电压模块，包括，第一二极管、第一电流电阻、第二电流电阻、第一电压源；
所述电容-电压模块，包括，第二二极管、电容电阻、第二电压源、电容。


2.根据权利要求1所述的一种OLED子电路模型，其特征在于，
所述第一二极管的正极、所述第二电流电阻的一端、所述第二二极管的正极、所述电容的一端相连接；
所述第一二极管的负极与所述第一电流电阻的一端相连接；
所述第一电流电阻的另一端、所述第二电流电阻另一端、所述第一电压源的一端相连接；
所述第二二极管负极与所述电容电阻的一端相连接；所述电容电阻的另一端与所述第二电压源的一端相连接；
所述第一电压源的另一端与所述第二电压源的另一端、所述电容的另一端相连接。


3.根据权利要求2所述的一种OLED子电路模型，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨思琪，宫雷雨，李翡，刘伟平，
申请(专利权)人：南京九芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32