一种MOSFET BISM4模型参数提取方法，包括以下步骤：1）设计测试单元结构和去嵌结构；2）测量所述测试单元结构和所述去嵌结构的电容‑电压特性曲线；3）将测量数据导入参数提取工具，提取沟道宽度方向电容补偿系数。本发明的MOSFET ...

一种OLED子电路模型，包括：表征电流‑电压特性的电流‑电压模块和表征电容‑电压特性的电容‑电压模块；所述电流‑电压模块，包括，第一二极管、第一电流电阻、第二电流电阻、第一电压源；所述电容‑电压模块，包括，第二二极管、电容电阻、第二电压...

一种OLED模型参数提取方法，包括以下步骤：1）建立参数提取模型；2）确认参数类型和初始值；3）建立反映测量值和仿真值差值的误差函数；4）采用L‑M法和单纯形法进行优化求解。本发明的OLED模型参数提取方法，能够减轻人工调参的工作量和时...

一种自动调整元件之间间距的方法，包括以下步骤：1）获取器件的参数列表信息；2）确定所述器件左侧边界位置坐标；3）根据所述参数列表信息确定所述器件宽度；4）根据所述器件左侧边界位置坐标和所述器件宽度确定所述器件右侧边界位置坐标；5）设置所...

一种OLED的Verilog‑A仿真模型的实现方法，包括以下步骤：1）获取器件的电流‑电压和电容‑电压数据；2）根据所述数据建立曲线拟合多项式；3）建立Verilog‑A表达式，得到仿真OLED模型；4）分别进行电流‑电压和电容‑电压的...

一种三维NAND存储器单元的建模方法，包括以下步骤：遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；利用所...

一种半导体器件量测数据的结构化处理方法，包括以下步骤：1）读取配置文件中存储的处理语句；2）加载选择的量测数据文件；3）根据所述数据文件对应格式进行结构化处理并以列表结构保存；4）根据所述处理语句对所述列表结构中的数据进行处理并保存。本...

一种MOM电容值的实现方法，包括以下步骤：1）定义语法格式转换函数；2）获取Spice Model中的定义信息；3）定义电容值相关参数为所述转换函数接口；4）根据所述转换函数接口生成所述电容值的计算函数。本发明的一种MOM电容值的实现方...

一种半导体器件阈值电压仿真方法，包括以下步骤：1）提取电路中所有器件特征参数，并将其转换为spice仿真器中对应的网表；3）在spice仿真器中，对所述网表中的所有器件建立跨导矩阵；4）对所述跨导矩阵进行迭代求解。本发明的半导体器件阈值...

一种填充过孔阵列的方法，包括以下步骤：1）获取填充过孔的区域信息；2）计算出所述填充区域内所有过孔的位置信息；3）根据所述过孔的位置信息填充过孔。本发明的一种填充过孔阵列的方法，可以缩短项目周期，加快项目进度，从而可以提高工作效率。

一种自动画环的方法，包括以下步骤：1）获取环的中心位置、中心位置到环四方向内径的距离；2）获取环的四个方向的初始长度、初始宽度、补充长度和补充宽度；3）根据环的方向的不同组合，设置各方向环的长度和宽度；4）根据设置的参数画环。本发明自动...

一种TFT器件角模型的生成及分析方法，包括以下步骤：导入不同面板不同位置上的测试点的测试数据，计算所有测试点KOP的均值、sigma值；针对KOP定义进行数据分析；根据统计分析结果，确定TT/FF/SS；挑选最接近角目标器件的测试数据；...

一种TFT模型参数的提取方法，包括：接收并处理测量数据，生成提取电路；选择TFT模型种类，将输入的电流数据划分为多个电流区域，并得到各电流区域的电流区域模型方程；预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案；基于所述电流区域模型方程...

一种平板显示集成电路工艺设计方法，包括以下步骤：1）设计不同宽、长比器件，并进行TFT特性测试，提取所述不同宽、长比器件的模拟仿真模型和角模型；2）制定流程的设计规范；3）生成基础器件的符号视图和门级子电路的示意图和符号视图；4）设计可...