一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法技术

一种OLED的Verilog‑A仿真模型的实现方法，包括以下步骤：1）获取器件的电流‑电压和电容‑电压数据；2）根据所述数据建立曲线拟合多项式；3）建立Verilog‑A表达式，得到仿真OLED模型；4）分别进行电流‑电压和电容‑电压的曲线拟合；5）进行模型验证。本发明专利技术的OLED的Verilog‑A仿真模型的实现方法，能够有效地提高OLED的仿真精度和仿真效率。

Implementation of a verilog-a simulation model for OLED

【技术实现步骤摘要】
一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法
本专利技术涉及器件模型开发
，特别是涉及一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法。
技术介绍
现有技术中的OLED模型是利用现有的二极管、电阻、电容模型组合建立子电路，从而搭建起模型。然而现有的二极管、电阻、电容模型不是为新型器件OLED所特别设计的，所以就会造成OLED的仿真结果的准确性受到限制，由于是几个器件的组合所以仿真时间也会较长。此外在文献调研上看，OLED的电流-电压（I-V）特性受到重点关注，对OLED的电容-电压（C-V）特性关注较少，而在实际需求中，对OLED的C-V特性关注很多。在目前的工业应用中，还没有一种集成在仿真器中的集约模型（compactmodel），而现有的OLED的子电路模型（subcktmodel）的仿真在精度和效率方面表现得都不是很好。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，能够有效地提高OLED的仿真精度和仿真效率。为实现上述目的，本专利技术提供的一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，包括以下步骤：1）获取器件的电流-电压和电容-电压数据；2）根据所述数据建立曲线拟合多项式；3）建立Verilog-A表达式，得到仿真OLED模型；4）分别进行电流-电压和电容-电压的曲线拟合；5）进行模型验证。进一步地，所述步骤2）进一步包括，去除所述数据的坏点和噪声点。进一步地，所述步骤2）进一步包括，将电流-电压特性曲线分为反向区、开启区、饱和区并分别建立拟合多项式；将电容-电压特性曲线分为平坦区、上升区、下降区并分别建立拟合多项式。进一步地，在所述电流-电压特性曲线中，以所述电压为0的点作为所述反向区和所述开启区的开启分界点；以所述电流对所述电压求二阶导数为0的点作为所述开启区和所述饱和区的饱和分界点；所述电压小于0的区域为所述反向区，所述电压大于0小于所述饱和分界点的区域为所述开启区，所述电压大于所述饱和分界点的区域为所述饱和区。进一步地，在所述电容-电压特性曲线中，以所述电压为0的点作为所述下降区和所述上升区的上升分界点；以所述电容对所述电压求二阶导数为0的点作为所述上升区和所述平坦区的平坦分界点；所述电压小于0的区域为所述下降区，所述电压大于0小于所述平坦分界点的区域为所述上升区，所述电压大于所述平坦分界点的区域为所述平坦区。进一步地，建立所述电压-电流特性曲线拟合多项式包括以下步骤：设所述电压为x，所述电流为y；用最小二乘法进行电压-电流多项式拟合；所述电压-电流拟合多项式的系数小于等于3；所述电压-电流拟合多项式为：y=k3x³+k2x²+k1x¹+k0;其中所述k0、k1、k2、k3为常数。进一步地，所述开启区和所述饱和区在建立拟合多项式之前，还包括，对所述开启区和所述饱和区的电流和电压取对数。进一步地，在每个区域之间建立过度方程，包括：P1*s1+P0=0①P1*s2+P0=（f1（s2）+f2（s2））/2-f1(s1)②联立①②计算出所述P1和所述P0；Q1*s3+Q0=0③Q1*s2+Q0=（f1（s2）+f2（s2））/2-f2(s3)④联立③④计算出所述Q1和所述Q0；得到f1(s2)+P1*s2+P0=f2(s2)+Q1*s2+Q0，保证在s2点是连续的。其中，所述f1为所述分界点前一个区域的多项式，所述f2为所述分界点后一个区域的多项式，所述s1为所述电压或所述电容的最小点，所述s2为所述开启分界点或所述上升分界点，所述s3为所述饱和分界点或所述平坦分界点；P0、P1、Q0、Q1分别为过度方程自变量的系数。进一步地，得到所述分界点前一个区域的多项式为F1(s)=f1(s)+P1*s+P0，和所述分界点后一个区域的多项式为F2(s)=f2(s)+Q1*s+Q0，其中s为电压或电容值。进一步地，所述步骤4）进一步包括，将所述曲线拟合多项式和所述过度方程用所述Verilog-A语言表示。进一步地，所述步骤4）进一步包括，根据所述Verilog-A表达式对每个区域分别拟合。进一步地，所述步骤5）进一步包括，对所述模型进行仿真并输出验证结果。为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，所述计算机指令运行时执行如上文所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法步骤。为实现上述目的，本专利技术还提供一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现装置，包括存储器和处理器，所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令，所述处理器运行所述计算机指令时执行如上文所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法步骤。本专利技术的一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，具有以下有益效果：1）更加灵活，可以利用Verilog-A中的if-else、while等语句构建模型，满足新器件的需求。2）Verilog-A仿真模型文件全部可见，便于二次修改。3）仿真的效率更高，能够更好地拟合电容-电压的特性曲线。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为根据本专利技术的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为根据本专利技术的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法流程图，下面将参考图1，对本专利技术的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法进行详细描述。首先，在步骤101，实测OLED器件的电流-电压、电容-电压数据。该步骤中，根据OLED的物理特性，包括利用电流使电子与空穴分别由正、负极出发，并注入两个电极间的有机薄膜区因相遇而产生发光的现象，和对实际的OLED器件进行测试，通过电器设备测量记录下电流-电压、电容-电压的数据。在步骤102，对测试数据进行处理。优选地，对实测的OLED器件数据进行去除坏点和去除噪声点。在步骤103，对测试数据进行分析。该步骤中，观察实际测试数据并分析。优选地，对于I-V部分，将I-V特性曲线分成三个区域，分别是反向区、开启区、饱和区。优选地，I-V的区域区分方法包括：在I-V特性曲线中以V=0作为反向区和开启区的分界点，以I对V求二阶导数为0的点V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）获取器件的电流-电压和电容-电压数据；/n2）根据所述数据建立曲线拟合多项式；/n3）建立Verilog-A表达式，得到仿真OLED模型；/n4）分别进行电流-电压和电容-电压的曲线拟合；/n5）进行模型验证。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）获取器件的电流-电压和电容-电压数据；
2）根据所述数据建立曲线拟合多项式；
3）建立Verilog-A表达式，得到仿真OLED模型；
4）分别进行电流-电压和电容-电压的曲线拟合；
5）进行模型验证。


2.根据权利要求1所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，在所述步骤2）之前，还包括，去除所述数据的坏点和噪声点。


3.根据权利要求1所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，所述步骤2）进一步包括，
将电流-电压特性曲线分为反向区、开启区、饱和区并分别建立拟合多项式；
将电容-电压特性曲线分为平坦区、上升区、下降区并分别建立拟合多项式。


4.根据权利要求3所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，在所述电流-电压特性曲线中，
以所述电压为0的点作为所述反向区和所述开启区的开启分界点；
以所述电流对所述电压求二阶导数为0的点作为所述开启区和所述饱和区的饱和分界点；
所述电压小于0的区域为所述反向区，所述电压大于0小于所述饱和分界点的区域为所述开启区，所述电压大于所述饱和分界点的区域为所述饱和区。


5.根据权利要求3所述的一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，在所述电容-电压特性曲线中，
以所述电压为0的点作为所述下降区和所述上升区的上升分界点；
以所述电容对所述电压求二阶导数为0的点作为所述上升区和所述平坦区的平坦分界点；
所述电压小于0的区域为所述下降区，所述电压大于0小于所述平坦分界点的区域为所述上升区，所述电压大于所述平坦分界点的区域为所述平坦区。


6.根据权利要求3所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，建立所述电压-电流特性曲线拟合多项式包括以下步骤：
设所述电压为x，所述电流为y；
用最小二乘法进行电压-电流多项式拟合；
所述电压-电流拟合多项式的系数小于等于3；
所述电压-电流拟合多项式为：y=k3x³+k2x²+k1x¹+k0；
其中所述k0、k1、k2、k3为常数。


7.根据权利要求6所述的OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法，其特征在于，所述开启区和所述饱和区在建立...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫雷雨，张万鑫，李翡，刘伟平，
申请(专利权)人：南京九芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32