【技术实现步骤摘要】
墨水组合物、封装结构及半导体器件
本专利技术涉及封装材料
,具体而言,涉及一种墨水组合物、封装结构及半导体器件。
技术介绍
有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiodes,简称OLED)具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄超轻、低成本、低功耗、无视角限制、工作温度范围广等特性,而且可以制作在柔性、轻便、耐用的塑料基板上,能够实现真正意义上的柔性显示,是最能符合人们对未来显示器要求的一项技术。目前应用的各类发光二极管主要由有机小分子发光二极管(OLED)、聚合物有机发光二极管(POLED)、有机磷光发光二极管(PHOLED)和有机热激延迟发光材料(TADF)。但是,现阶段OLED最大的问题就是寿命比LCD要短,其使用寿命只有约5000小时,要明显逊色于LCD的寿命。OLED器件的使用寿命是目前困扰OLED众多专家学者关键问题,是制约OLED产业发展的瓶颈。影响OLED器件使用寿命的因素很多,有物理性因素如器件结构、电路驱动方式等;也有化学因素如金属阴极的氧化、有机材料的晶化等。 ...
【技术保护点】
1.一种墨水组合物,其特征在于,包括可光固化含硅单体组分、活性稀释剂组分和光引发剂组分,所述可光固化含硅单体组分为一种可光固化含硅单体或多种可光固化含硅单体的组合,各所述可光固化含硅单体具有如下结构式I:/n
【技术特征摘要】
1.一种墨水组合物,其特征在于,包括可光固化含硅单体组分、活性稀释剂组分和光引发剂组分,所述可光固化含硅单体组分为一种可光固化含硅单体或多种可光固化含硅单体的组合,各所述可光固化含硅单体具有如下结构式I:
其中,n是0~50的任意一个整数;R1和R2相同或不同,且各自独立地选自:单键、取代或未取代的C1~C50的亚烷基、取代或未取代的C3~C50的亚环烷基、取代或未取代的C1~C50的亚烷基醚基、取代或未取代的C6~C50的亚芳基、取代或未取代的C7~C50的芳基亚烷基、-N-(R3)-R4-、-O-R5-中的任意一种;其中,R3是氢、取代或未取代的C1~C50的烷基中的一种,R4是取代或未取代的C1~C50的亚烷基;R5是取代或未取代的C1~C50的亚烷基;
X1、X2、X3、X4相同或不同,且各自独立地选自:氢、取代或未取代的C1~C50的烷基、取代或未取代的C1~C50的烷基醚基、取代或未取代的C1~C50的环烷基、取代或未取代的C1~C50的烷基硫化物基团、取代或未取代的C6~C50的芳基、取代或未取代的C3~C50的杂芳基、取代或未取代的C7~C50的芳烷基、-NR6R7中的任意一种;其中,R6和R7相同或不同,且各自独立地选自氢、取代或未取代的C1~C50的烷基中的任意一种;
A1和A2相同或不同,且各自独立地选自:氢、取代或未取代的C1~C50的烷基、取代或未取代的C1~C60的烷基醚基、取代或未取代的C1~C50的烷基硫化物基团、取代或未取代的C6~C50的芳基、取代或未取代的C7~C50的芳烷基、-NR8R9、取代或未取代的丙烯酸酯基中的任意一种;其中,R8和R9相同或不同,且各自独立地选自氢、取代或未取代的C1~C50的烷基中的任意一种;并且所述可光固化含硅单体组分中,所述A1和所述A2中至少有一个由结构式II至结构式IV中的其中任意一种表示,所述A1和所述A2中至少有一个由结构式V表示:
其中,*表示结合位置,Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7和Z8各自独立地选自氢、取代或未取代的C1~C50的烷基中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的墨水组合物,其特征在于,所述n是0到10的任意一个整数,优选所述R1和R2各自独立地选自:取代或未取代的C1到C10的亚烷基、-O-R5-中的任意一种,且-O-R5-中R5是取代或未取代的C1到C10的亚烷基中的一种,优选X1、X2、X3、X4相同或不同,各自独立地选自氢、取代或未取代的C1到C10的烷基、取代或未取代的C6到C10的芳基、取代或未取代的C7到C11的芳烷基中的任意一种,且X1、X2、X3、X4中的至少一个是取代或未经取代的C6到C10的芳基、取代或未取代的C7到C11的芳烷基中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的墨水组合物,其特征在于,所述可光固化含硅单体组分为多种可光固化含硅单体的组合,其中一种所述可光固化含硅单体的所述A1和A2为由所述结构式III表示的基团,优选所述Z4、Z5、Z6各自独立地选自氢、取代或未取代的C1到C10的烷基中的任意一种,更优选为氢。
4.根据权利要求1或2所述的墨水组合物,其特征在于,所述可光固化含硅单体组分为多种可光固化含硅单体的组合,其中一种所述可光固化含硅单体的所述A1和A2为由所述结构式V表示的基团,优选所述Z8选自氢、取代或未取代的C1到C10的烷基中的任意一种,更优选为甲基。
5.根据权利要求1或2所述的墨水组合物,其特征在于,所述可光固化含硅单体组分的至少一种所述可光固化含硅单体的所述A1为由所述结构式V表示的基团,且所述A2为由所述结构式III表示的基团;优选所述Z8选自氢、取代或未取代的C1到C10的烷基中的任意一种,更优选为甲基;优选所述Z4、Z...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪海兵,王士昊,
申请(专利权)人:浙江福斯特新材料研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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