电诱导辅助化学机械抛光测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种电诱导辅助化学机械抛光测试装置，包括：抛光液池、抛光垫、抛光盘、抛光头、驱动器、负电极以及外接电源；所述抛光液池用于盛装抛光电解液，其通过所述抛光盘带动而旋转；所述抛光垫贴合于抛光液池的底壁上；所述抛光头用于固定待抛光的晶片，并通过所述驱动器驱动而与所述抛光垫相对反向旋转，以对晶片进行机械抛光；所述外接电源的正极与所述晶片接通，负极与所述负电极接通。本实用新型专利技术的电诱导辅助化学机械抛光测试装置，通过电诱导作用的方式，增强晶片的氧化腐蚀，提高材料去除率，降低晶片抛光的生产成本，改善晶片的表面质量。

Test device of chemical mechanical polishing assisted by electric induction

【技术实现步骤摘要】
电诱导辅助化学机械抛光测试装置
本技术涉及超精密抛光加工
，具体涉及一种电诱导辅助化学机械抛光测试装置。
技术介绍
氮化镓(GaN)材料是研制微电子器件、光电子器件的第三代新型半导体电子材料，具有优异的电学和热学性能，包括宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度、高热导率，这些特性可以使得GaN器件工作在高温、高功率的特殊条件。当GaN材料作为器件使用时，要求材料具有高的表面完整性(如低的表面粗糙度、无划痕、微裂纹等表面/亚表面损伤)，因此在GaN材料应用之前需要对晶片表面进行处理以获得超平滑的表面。目前，抛光GaN晶体最常用的方法是化学机械抛光(CMP)，但GaN晶体材料键能大，属于典型的硬脆难加工材料，在CMP加工过程中存在加工表面质量达不到应用要求，材料去除率低，进而导致加工时间长、成本高的一系列问题。例如，公开号为CN1227152A的化学机械抛光装置和化学机械抛光方法，公开号为CN106853609A化学机械抛光装置及其方法，公开号为CN109465739A一种半导体晶片光电化学机械抛光加工装置，他们均采用传统抛光头，加载的压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电诱导辅助化学机械抛光测试装置，其特征在于，包括：抛光液池、抛光垫、抛光盘、抛光头、驱动器、负电极以及外接电源；/n所述抛光液池用于盛装抛光电解液，其通过所述抛光盘带动而旋转；所述抛光垫贴合于抛光液池的底壁上；/n所述抛光头用于固定待抛光的晶片，并通过所述驱动器驱动而与所述抛光垫相对反向旋转，以对晶片进行机械抛光；/n所述外接电源的正极与所述晶片接通，负极与所述负电极接通；/n使用时，所述负电极与抛光头至少部分地浸没于抛光电解液中，外接电源、晶片、抛光电解液与负电极之间构成闭合回路，从而使得晶片与负电极之间形成电势差。/n

【技术特征摘要】
1.一种电诱导辅助化学机械抛光测试装置，其特征在于，包括：抛光液池、抛光垫、抛光盘、抛光头、驱动器、负电极以及外接电源；
所述抛光液池用于盛装抛光电解液，其通过所述抛光盘带动而旋转；所述抛光垫贴合于抛光液池的底壁上；
所述抛光头用于固定待抛光的晶片，并通过所述驱动器驱动而与所述抛光垫相对反向旋转，以对晶片进行机械抛光；
所述外接电源的正极与所述晶片接通，负极与所述负电极接通；
使用时，所述负电极与抛光头至少部分地浸没于抛光电解液中，外接电源、晶片、抛光电解液与负电极之间构成闭合回路，从而使得晶片与负电极之间形成电势差。


2.如权利要求1所述的电诱导辅助化学机械抛光测试装置，其特征在于，所述晶片为GaN晶片。


3.如权利要求1所述的电诱导辅助化学机械抛光测试装置，其特征在于，所述抛光头包括一抛光头轴以及固定于抛光头轴上的抛光头本体，所述抛光头轴与抛光头本体之间设有多个支撑板。


4.如权利要求1所述的电诱导辅助化学机械抛光测试装置，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：寇青明，钮市伟，王永光，陈瑶，赵栋，刘卫卫，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32