清洁方法以及清洁系统技术方案

本公开实施例提供一种清洁方法以及清洁系统，清洁系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。一旦在腔室内形成浆料储存池，所述清洁系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。在CMP工艺期间，所述清洁系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。

【技术实现步骤摘要】
清洁方法以及清洁系统
本公开实施例涉及一种清洁方法以及清洁系统。
技术介绍
化学机械研磨(Chemicalmechanicalpolish，CMP)工艺可用于制造集成电路。举例来说，CMP工艺可用于使将集成电路中的各种电路层分开的层间介电层的金属间介电层、金属特征和半导体材料平坦化。CMP工艺也常用于形成使集成电路元件互连的铜线及/或接点插件。CMP工艺广泛用于制造集成电路。在半导体晶片的表面上逐层构建集成电路之后，CMP工艺用于平坦化最顶部的一或多层，以为后续的制造步骤提供水平的表面。然而现今的CMP工艺仍然需要改进。
技术实现思路
本公开实施例的其中一个目的在于提供一种清洁方法，以解决上述至少一个问题。本公开实施例的其中另一个目的在于提供一种清洁系统，以解决上述至少一个问题。在一些实施例中提供一种清洁方法，包括：在腔室中将半导体晶片附接到研磨头；将研磨垫放置在腔室中的平台上；将浆料流动到腔室中以形成浆料储存池；以及在半导体晶片以及研磨垫的界面进行化学机械研磨工艺，且界面位于浆料储存池的上表面下方。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁方法，包括：/n在一腔室中将一半导体晶片附接到一研磨头；/n将一研磨垫放置在该腔室中的一平台上；/n将一浆料流入该腔室中以形成一浆料储存池；以及/n在该半导体晶片以及该研磨垫间的一界面进行一化学机械研磨工艺，且该界面位于该浆料储存池的一上表面下方。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,732;20190118 US 16/252,1831.一种清洁方法，包括：
在一腔室中将一半导体晶片附接到一研磨头；
将一研磨垫放置在该腔室中的一平台上；
将一浆料流入该腔室中以形成一浆料储存池；以及
在该半导体晶片以及该研磨垫间的一界面进行一化学机械研磨工艺，且该界面位于该浆料储存池的一上表面下方。


2.如权利要求1所述的清洁方法，还包括在进行该化学机械研磨工艺之前提升该浆料储存池的表面，以覆盖该研磨垫的一表面。


3.如权利要求1所述的清洁方法，还包括将该研磨头降低到该浆料储存池中以形成该界面。


4.一种清洁方法，包括：
将一基板固定到一腔室中的一研磨头的一晶片承载座；
将一研磨垫附接到该腔室中的一平台，该研磨垫的一上表面是在一第一高度；
在该腔室中形成一浆料储存池，该浆料储存池的一上表面是在低于该第一高度的一水平；
降低该平台以将该研磨垫浸没到该浆料储存池中；以及
在低于该浆料储存池的该上表面的该基板的一表面上进行一化学机械研磨工艺。


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【专利技术属性】
技术研发人员：刘志文，郑皓云，涂哲豪，陈科维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71