一种晶圆抛光装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆抛光装置及方法，该晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上；所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。实现了延长晶圆抛光装置的使用寿命，又可提高晶圆的平整度，抛光过程简单易行等效果。

A wafer polishing device and method

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆抛光装置及方法
本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆抛光装置及方法。
技术介绍
半导体产业是现代电子工业的核心，目前，90％以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路(UltraLargeScaleIntegratedcircuits，ULSI)都是制作在高纯度优质的单晶抛光片和外延片上。因此，制作晶圆工艺中获得表面微缺陷极小、平坦度高的晶圆尤为重要。抛光工序是将晶圆加工成指定厚度并提高晶圆平整度所需的工序，使用抛光晶圆的抛光装置进行。目前抛光加工技术中，不同厚度的晶圆，需选用不同槽深的抛光载具，抛光载具使用具有一定的周期和寿命，使用后期晶圆的平整度有所下降，而且抛光载具的使用寿命也变短，增加了抛光加工工艺过程中的成本。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种晶圆抛光装置及方法，以延长晶圆抛光装置的使用寿命，又可提高晶圆的平整度，抛光过程简单易行。第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆抛光装置，该晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上。所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。可选的，所述厚度可调抛光垫片的厚度小于所述抛光载具槽的深度。可选的，在晶圆抛光过程中，所述晶圆包括位于所述抛光载具槽内的第一晶圆分部和超出所述抛光载具槽的第二晶圆分部。所述第二晶圆分部的厚度h32满足70μm≤h32≤130μm。可选的，所述厚度可调抛光垫片的厚度h2满足h2＝h32+h1-h3，70μm+h1-h3≤h2≤130μm+h1-h3。可选的，所述抛光载具槽的槽深固定，所述所述抛光载具槽的槽深h1满足1200μm≤h1≤1400μm。可选的，所述晶圆抛光装置还包括抛光绒布，在晶圆抛光过程中，所述抛光绒布设置于抛光载具槽内且位于所述厚度可调抛光垫片与所述晶圆之间。所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2、所述晶圆的厚度h3以及所述抛光绒布的厚度h4满足，其中，h2+h3+h4>h1。可选的，所述抛光绒布的厚度固定，所述抛光绒布的厚度h4满足600μm≤h4≤620μm。可选的，所述抛光载具可旋转。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种晶圆抛光方法，采用晶圆抛光装置对晶圆进行抛光，所述晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽。所述晶圆抛光方法包括：确定待抛光的晶圆并获取所述晶圆的厚度；根据所述晶圆的厚度和所述抛光载具槽的槽深确定所述厚度可调抛光垫片的厚度；其中，所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1；将所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，将所述晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上，对所述晶圆进行抛光。可选的，在晶圆抛光过程中，所述晶圆包括位于所述抛光载具槽内的第一晶圆分部和超出所述抛光载具槽的第二晶圆分部；所述第二晶圆分部的厚度h32满足70μm≤h32≤130μm；根据所述晶圆的厚度和所述抛光载具槽的槽深确定所述厚度可调抛光垫片的厚度，包括：根据所述晶圆的厚度、所述抛光载具槽的槽深以及所述第二晶圆分部的厚度确定所述厚度可调抛光垫片的厚度；其中，所述厚度可调抛光垫片的厚度h2、所述抛光载具槽的槽深h1、所述晶圆的厚度h3以及所述第二晶圆分部的厚度h32满足h2＝h32+h1-h3，70μm+h1-h3≤h2≤130μm+h1-h3。本专利技术实施例中晶圆抛光装置包括有抛光载具和厚度可调抛光垫片，抛光载具抛光载具槽，厚度可调垫片设置于抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上。在晶圆抛光过程中，通过切换厚度可调垫片，使得当抛光载具槽的槽深h1、厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1条件下，对晶圆进行抛光。解决了现有技术中通过更换不同槽深的抛光载具对晶圆进行抛光造成抛光载具的寿命变短，后期晶圆的平整度下降等问题，实现了延长晶圆抛光装置的使用寿命，提高晶圆的平整度，抛光过程简单易行等效果。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种晶圆抛光装置的结构示意图；图2是本专利技术实施例一提供的另一种晶圆抛光装置的结构示意图；图3是本专利技术实施例二提供的一种晶圆抛光方法的流程示意图；图4是本专利技术实施例二提供的另一种晶圆抛光方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种晶圆抛光装置的结构示意图，如图1所示，该晶圆抛光装置包括抛光载具10和厚度可调抛光垫片20，抛光载具10包括抛光载具槽11，在晶圆30抛光过程中，厚度可调抛光垫片20设置于抛光载具槽11内，晶圆30设置于厚度可调抛光垫片20上。抛光载具槽11的槽深h1、厚度可调抛光垫片的厚度h2以及晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。需要说明的是，厚度可调抛光垫片20的选取是根据晶圆30的厚度h3来选择的。当满足厚度可调抛光垫片的厚度h2以及晶圆的厚度h3之和大于抛光载具槽11的槽深h1，即h2+h3>h1条件下，抛光载具槽11的槽深h1是固定的，厚度可调抛光垫片20的厚度可以适当调节，因此，抛光过程中可通过切换厚度可调的抛光垫片20对不同厚度的晶圆30进行抛光，抛光方法简单行，不需要适时跟换抛光载具10，延长了抛光载具的使用寿命，也提高了晶圆的平整度。示例性的，当晶圆的厚度为550μm，抛光载具槽11的槽深为1320μm时，选取的厚度可调抛光垫片的厚度至少达到770μm。可选的，厚度可调抛光垫片20的厚度h2小于抛光载具槽11的深度h1。需要说明的是，当厚度可调抛光垫片20的厚度h2大于抛光载具槽11的深度h1时，抛光载具槽11内的晶圆完全裸露在抛光载具槽11外，晶圆30无法固定，只能对抛光载具10进行抛光，达不到对晶圆的抛光的要求。可选的，在晶圆抛光过程中，晶圆30包括位于抛光载具槽11内的第一晶圆分部31和超出抛光载具槽11的第二晶圆分部32，第二晶圆分部32的厚度h32满足70μm≤h32≤130μm。其中，当第二晶圆分部32的厚度h32满足70μm≤h32≤130μm时，在晶圆抛光过程中，保证了对晶圆30的充分抛光，而且厚度可调抛光垫片20根据第二晶圆分部32的厚度h32会在一定的范围内调节其厚度，在生产工艺中，会根据客户对不同厚度晶圆的抛光要求选取不同厚度的垫片，提高了人工操作的灵活性。可选的，厚度可调抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆抛光装置，其特征在于，包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上；/n所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆抛光装置，其特征在于，包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上；
所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。


2.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述厚度可调抛光垫片的厚度小于所述抛光载具槽的深度。


3.根据权利要求2所述的晶圆抛光装置，其特征在于，在晶圆抛光过程中，所述晶圆包括位于所述抛光载具槽内的第一晶圆分部和超出所述抛光载具槽的第二晶圆分部；
所述第二晶圆分部的厚度h32满足70μm≤h32≤130μm。


4.根据权利要求3所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述厚度可调抛光垫片的厚度h2满足h2＝h32+h1-h3，70μm+h1-h3≤h2≤130μm+h1-h3。


5.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述抛光载具槽的槽深固定；
所述抛光载具槽的槽深h1满足1200μm≤h1≤1400μm。


6.根据权利要求1所述的晶圆抛光装置，其特征在于，所述晶圆抛光装置还包括抛光绒布，在晶圆抛光过程中，所述抛光绒布设置于所述抛光载具槽内且位于所述厚度可调抛光垫片与所述晶圆之间；
所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2、所述晶圆的厚度h3以及所述抛光绒布的厚度h4满足，其中，h2+h3+h4>h1。


7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎欢，沈思情，孙强，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体有限公司，重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31