【技术实现步骤摘要】
刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备
本技术涉及晶圆加工处理设备领域，具体涉及一种刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备。
技术介绍
现有技术中，当在刻蚀机台对晶圆进行刻蚀时，晶圆的边缘部分的均匀性很难控制，边缘良率较低，不符合日益增长的晶圆需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备，能够有效提高晶圆边缘部分的均匀性，提高晶圆生产的良率。为了解决上述技术问题，以下提供了一种刻蚀辅助装置，用于辅助晶圆刻蚀，包括：隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值。可选的，所述隔片呈圆环状，当晶圆放置到晶圆放置台，且晶圆中心与晶圆放置台的中心重合时，所述隔片的宽度与所述晶圆和聚焦环之间的距离相等。可选的，所述隔片的高度与所述晶圆的高度相同。可选的，所述隔片为硅材质隔片、陶瓷材质隔片或金属材质隔片中的至少一种。为了解决上述技术问题，以下还提供了一种晶圆刻蚀设备，包括：所述刻蚀辅助装置；晶圆放置台，用于放置晶圆；聚焦环...
【技术保护点】
1.一种刻蚀辅助装置，其特征在于，用于辅助晶圆刻蚀，包括：/n隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值。/n
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀辅助装置，其特征在于，用于辅助晶圆刻蚀，包括：
隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值。
2.根据权利要求1所述的刻蚀辅助装置，其特征在于，所述隔片呈圆环状，当所述晶圆放置到晶圆放置台，且所述晶圆中心与所述晶圆放置台的中心重合时，所述隔片的宽度与所述晶圆和所述聚焦环之间的距离相等。
3.根据权利要求1所述的刻蚀辅助装置，其特征在于，所述隔片的高度与所述晶圆的高度相同。
4.根据权利要求1所述的刻蚀辅助装置，其特征在于，所述隔片为硅材质隔片、陶瓷材质隔片或金属材质隔片中的至少一种。
5.一种晶圆刻蚀设备，其特征在于，包括：
如权利要求1至4中任一项所述的刻蚀辅助装置；
晶圆放置台，用于放置晶圆；
聚焦环，环绕所述晶圆放置台放置，且所述聚焦环的尺寸大于所述晶圆的尺寸；
所述隔片设置到所述聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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