加热结构及半导体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种加热结构及半导体处理装置。所述加热结构包括：管道，用于传输经压缩的干燥气体；空气放大器，与所述管道的输出端连通，用于将经压缩的所述干燥气体放大；加热器，与所述空气放大器连接，用于将经放大的所述干燥气体加热后传输至待加热物体的表面。本实用新型专利技术避免了对半导体处理装置内部结构的损伤，进而在确保半导体制程顺利进行的同时，也提高了半导体处理装置的使用寿命。

Heating structure and semiconductor processing device

【技术实现步骤摘要】
加热结构及半导体处理装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种加热结构及半导体处理装置。
技术介绍
目前，半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外，在其上制造IC的晶圆变得越来越大，这就对晶圆的质量要求越来越高。动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)等半导体器件的制造工艺中，刻蚀是至关重要的步骤。现有的刻蚀工艺主要包括湿法刻蚀(WetEtching)和干法刻蚀(DryEtching)两种方式。干式刻蚀通常指利用辉光放电(GlowDischarge)方式，产生包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基的电浆，来进行图案转印(PatternTransfer)的刻蚀技术。但是，在现有的刻蚀机台执行刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热结构，其特征在于，包括：/n管道，用于传输经压缩的干燥气体；/n空气放大器，与所述管道的输出端连通，用于将经压缩的所述干燥气体放大；/n加热器，与所述空气放大器连接，用于将经放大的所述干燥气体加热后传输至待加热物体的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种加热结构，其特征在于，包括：
管道，用于传输经压缩的干燥气体；
空气放大器，与所述管道的输出端连通，用于将经压缩的所述干燥气体放大；
加热器，与所述空气放大器连接，用于将经放大的所述干燥气体加热后传输至待加热物体的表面。


2.根据权利要求1所述的加热结构，其特征在于，所述干燥气体为空气。


3.根据权利要求2所述的加热结构，其特征在于，所述空气放大器包括：
引流腔和与所述引流腔连接的放大腔，所述引流腔具有第二进气口，与外界气体连通，所述放大腔具有出气口；
第一进气口，与所述管道连通，用于向所述放大腔传输经压缩的所述干燥气体，所述干燥气体用于建立低压以使所述引流腔通过所述第二进气口将所述外界气体引入所述放大腔；
所述出气口，与所述加热器连接，用于向所述加热器传输经放大的所述干燥气体。


4.根据权利要求3所述的加热结构，其特征在于，在沿所述引流腔和放大腔的轴向方向上，所述第二进气口与所述出气口分布于所述引流腔和放大腔的相对两侧；所述第一进气口位于所述放大腔的径向方向上。


5.根据权利要求3所述的加热结构，其特征在于，还包括：
第一三通阀，所述第一三通阀的输入端与气源连通、所述第一三通阀的第一输出端连接压力开关、所述第一三通阀的第二输出端与所述管道的输入端连通；
所述气源，用于存储经压缩的所述干燥气体，所述压力开关用于检测进入所述管道...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海涛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34