一种MOS管整形结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOS管整形结构，属于MOS管整形技术领域，包括装置主体，所述装置主体的内部开设有第一滑槽，所述第一滑槽的外表面通过第一滑块连接有升降柱，所述升降柱的外表面固定有滑轨，所述滑轨的一侧固定有多个截齿，所述装置主体的一侧贯穿有转杆，且转杆通过轴承与装置主体转动连接,所述转杆的一端固定有转柄，所述转杆远离转柄的一端贯穿于装置主体的内部并连接有齿轮，该种MOS管整形结构设置有支撑板，当需要对MOS管整形成品字形时，工作人员可以将支撑板放置于MOS管的一侧，且由于三个支撑板呈品字形分布，从而使得在对MOS管整形过程中，工作人员可以通过支撑板进行对照，使得MOS管整形更加规范，避免了MOS管整形出现偏差的情况。

A MOS tube shaping structure

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管整形结构
本技术涉及MOS管
，具体为一种MOS管整形结构。
技术介绍
mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区，在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。现有的MOS管整形装置，在对MOS管进行整形时，通常时工作人员手动将其整形弯折，使得MOS管被整形的力道存在误差使得整形不够均衡，且由于通常需要将MOS管改造成品字形，以便使用，然而单纯的通过工作人员主观意识进行判断，难免出现偏差，从而对MOS管的后续使用造成影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种MOS管整形结构，以解决上述
技术介绍
中提出MOS管被整形的力道存在误差使得整形不够均衡和MOS管整形出现偏差的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种MOS管整形结构，包括装置主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管整形结构，包括装置主体(1)，其特征在于：所述装置主体(1)的内部开设有第一滑槽(2)，所述第一滑槽(2)的外表面通过第一滑块(3)连接有升降柱(4)，所述升降柱(4)的外表面固定有滑轨(5)，所述滑轨(5)的一侧固定有多个截齿(6)，所述装置主体(1)的一侧贯穿有转杆(12)，且所述转杆(12)通过轴承与装置主体(1)转动连接，所述转杆(12)的一端固定有转柄(13)，所述转杆(12)远离转柄(13)的一端贯穿于装置主体(1)的内部并连接有齿轮(11)，所述升降柱(4)的底部固定有三个按压柱(7)，所述装置主体(1)的底部固定有三个支撑板(10)，所述支撑板(10)的内部开设...

【技术特征摘要】
1.一种MOS管整形结构，包括装置主体(1)，其特征在于：所述装置主体(1)的内部开设有第一滑槽(2)，所述第一滑槽(2)的外表面通过第一滑块(3)连接有升降柱(4)，所述升降柱(4)的外表面固定有滑轨(5)，所述滑轨(5)的一侧固定有多个截齿(6)，所述装置主体(1)的一侧贯穿有转杆(12)，且所述转杆(12)通过轴承与装置主体(1)转动连接，所述转杆(12)的一端固定有转柄(13)，所述转杆(12)远离转柄(13)的一端贯穿于装置主体(1)的内部并连接有齿轮(11)，所述升降柱(4)的底部固定有三个按压柱(7)，所述装置主体(1)的底部固定有三个支撑板(10)，所述支撑板(10)的内部开设有第二滑槽(9)，且所述第二滑槽(9)的外表面通过第二滑块(8)与按压柱(7)连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：薛会民，
申请(专利权)人：深圳市三合微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44