【技术实现步骤摘要】
二极管结构
本公开一般地涉及电子电路，更具体地涉及二极管结构。
技术介绍
在某些应用中，例如在功率电子应用中，期望二极管能够利用二极管两端尽可能低的电压降来在正向电流中传导高值，例如大于1A、或者甚至大于100A。进一步期望二极管在反向偏置时传导尽可能低的电流。进一步期望二极管能够阻挡电流流动来获得高反向电压值，例如大于10V、或甚至大于100V。
技术实现思路
一个实施例提供了克服已知二极管结构的全部或部分的缺点。一个实施例提供了能够获得具有最大反向电压或雪崩电压的二极管的结构，相对于已知的二极管，正向电压降和/或漏电流得到改善。因此，一个实施例提供了一种结构，该结构在衬底的沟槽中包括：第一传导区域，其与衬底分离第一距离，第一距离短于约10nm；以及第二传导区域，其比第一区域更深地延伸。根据一个实施例，第二区域与衬底分离第二距离，第二距离大于第一距离。根据一个实施例，第一区域通过第一电介质层与衬底分离，并且第二区域通过第二电介质层与衬底分离。根据一个实施例，该衬底...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：/n衬底，具有沟槽；/n第一传导区域，位于所述沟槽中并且与所述衬底分离第一距离，所述第一距离短于约10nm；以及/n第二传导区域，位于所述沟槽中并且比所述第一传导区域更深地延伸。/n
【技术特征摘要】
20180928 FR 18589331.一种结构，包括：
衬底，具有沟槽；
第一传导区域，位于所述沟槽中并且与所述衬底分离第一距离，所述第一距离短于约10nm；以及
第二传导区域，位于所述沟槽中并且比所述第一传导区域更深地延伸。
2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第二传导区域与所述衬底分离第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。
3.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：
第一电介质层，将所述第一传导区域与所述衬底分离；以及
第二电介质层，将所述第二传导区域与所述衬底分离。
4.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬底是半导体。
5.根据权利要求4所述的结构，包括覆盖所述衬底和所述沟槽的传导层，所述传导层电连接到所述衬底以及电连接到所述第一传导区域和所述第二传导区域。
6.根据权利要求5所述的结构，其中所述传导层与所述衬底接触或者与所述衬底分离小于300nm。
7.一种二极管，包括：
衬底，具有第一沟槽；
阴极和阳极，耦合到所述衬底；
第一传导区域，位于所述沟槽中并且与所述衬底分离第一距离，所述第一距离短于约10nm；以及
第二传导区域，位于所述沟槽中并且比所述第一传导区域更深地延伸。
8.根据权利要求7所述的二极管，其中所述衬底包括第二沟槽，所述二极管进一步包括：
至少一个晶体管，具有在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间延伸的至少一个沟道区域，所述第一传导区域限定所述至少一个晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的二极管，包括：
传导层，覆盖所述衬底以及所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及
接触区域，形成在所述衬底中并且将所述沟道区域电连接到所述传导层。
10.根据权利要求8所述的二极管，其中所述第一传导区域和所述第二传导区域是半导体区域，所述沟道区域和所述第一传导区域掺杂有相反的导电类型。
11.根据权利要求8所述的二极管，包括漏极区域，所述漏极区域在所述沟道区域下方以及在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间延伸。
12.根据权利要求11所述的二极管，其中所述漏极区域比所述沟道区域更少地被重掺杂。
13.根据权利要求11所述的二极管，其中所述...
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