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本文描述了二极管结构。本发明涉及一种结构，该结构在衬底的沟槽中包括：第一传导区域，其与衬底分离第一距离，第一距离短于约10nm；以及第二传导区域，其比第一区域更深地延伸。...
该专利属于意法半导体(图尔)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司授权不得商用。

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