磁性存储装置、形成方法及形成磁性随机存取存储器的方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种磁性存储装置、形成方法及形成磁性随机存取存储器的方法，其中磁性存储装置包含底电极、设置于底电极上的磁性穿隧接面，以及设置于磁性穿隧接面上的顶电极，其中顶电极包含第一顶电极层和于第一顶电极层上的第二顶电极层，且第二顶电极层厚于第一顶电极层。

Magnetic storage device, forming method and forming method of magnetic random access memory

【技术实现步骤摘要】
磁性存储装置、形成方法及形成磁性随机存取存储器的方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及一种磁性随机存取存储器的装置及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IntegratedCircuit，IC)工业经历了指数型成长。在集成电路(IC)材料和设计的科技进步已经产出许多代的集成电路(IC)，且每一代的集成电路(IC)具有比上一代更小且更复杂的电路。在集成电路(IC)的演变过程中，随着几何尺寸(如可使用工艺制造最小的元件(或线)的减少，功能密度(例如每个芯片面积上的内连线装置数目)已普遍性地增加。通过增加生产效率和减少相关成本，这样的微缩化工艺普遍地提供益处。这种微缩化亦增加工艺和制造集成电路(IC)的复杂度。在一些IC设计和制造中的其中一个进步是发展非易失性存储器(non-volatilememory，NVM)，特别是磁性随机存取存储器(magneticrandom-accessmemory，MRAM)。MRAM提供了与挥发性静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory，SRAM)相当的性能，以及与挥本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性存储装置，包括：/n一底电极；/n一磁性穿隧接面，设置于该底电极上；/n一顶电极，设置于该磁性穿隧接面正上方，其中该顶电极包括一第一顶电极层和于该第一顶电极层上的一第二顶电极层，且其中该第二顶电极层比该第一顶电极层厚。/n

【技术特征摘要】
20180926 US 62/736,623;20190712 US 16/510,2961.一种磁性存储装置，包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖韦豪，田希文，吕志伟，戴品仁，李忠儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71