半导体装置制造方法及图纸

本公开实施例提供半导体装置。半导体装置包括第一纳米结构与一第二纳米结构、第一栅极结构、第二栅极结构以及源极/漏极接点。第一纳米结构与第二纳米结构形成在基底上。第一纳米结构与第二纳米结构各包括多个半导体层、一通道区以及一源极/漏极区。第一栅极结构包裹第一纳米结构的多个半导体层。第二栅极结构包裹第二纳米结构的多个半导体层。源极/漏极接点接触第一纳米结构的至少一半导体层与第二纳米结构的至少一半导体层。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开有关于一种半导体装置，且特别有关于一种环绕式栅极(gate-all-around，GAA)装置。
技术介绍
使用多栅极装置，通过增加栅极-沟道耦合、减少关闭状态(off-state)电流和降低短通道效应(short-channeleffect，SCE)来改善栅极控制。环绕式栅极(gate-all-around，GAA)晶体管是一种多栅极装置，其栅极结构延伸围绕其通道区的一部分，从而提供对多于一侧的通道区的接触。GAA晶体管兼容与传统的互补金氧半导体(CMOS)制造制程，其允许大幅缩小晶体管，同时维持栅极控制和减轻SCE。然而，GAA晶体管的制造出现了挑战。例如，在先进技术世代GAA晶体管中会出现不良的外延源极和漏极成长，这会降低GAA晶体管的性能(例如增加源极/漏极(S/D)寄生阻抗和/或降低GAA晶体管的导通电流)。
技术实现思路
本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括第一纳米结构与一第二纳米结构、第一栅极结构、第二栅极结构以及源极/漏极接点。第一纳米结构与第二纳米结构形成在基底上。第一纳米结构与第二纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一纳米结构与一第二纳米结构，形成在一基底上，其中上述第一纳米结构与上述第二纳米结构各包括多个半导体层、一通道区以及一源极/漏极区；/n一第一栅极结构，包裹上述第一纳米结构的上述半导体层；/n一第二栅极结构，包裹上述第二纳米结构的上述半导体层；以及/n一源极/漏极接点，接触上述第一纳米结构的至少一上述半导体层与上述第二纳米结构的至少一上述半导体层。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,388;20190826 US 16/550,7971.一种半导体装置，包括：
一第一纳米结构与一第二纳米结构，形成在一基底上，其中上述第一纳米结构与上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71