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本公开实施例提供半导体装置。半导体装置包括第一纳米结构与一第二纳米结构、第一栅极结构、第二栅极结构以及源极/漏极接点。第一纳米结构与第二纳米结构形成在基底上。第一纳米结构与第二纳米结构各包括多个半导体层、一通道区以及一源极/漏极区。第一栅极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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