集成电路制造技术

一种集成电路包括第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第三类型一晶体管、及第四类型一晶体管。第一类型一晶体管及第三类型一晶体管是在类型一主动区域的第一部分中。集成电路包括在类型二主动区域的第一部分中的第一类型二晶体管。第一类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第一电源电压。第一类型二晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第二电源电压。第三类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第二电源的第一电源电压。第三类型一晶体管具有与第一类型一晶体管的主动区域导电地连接的第一主动区域。

Integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本揭露是关于一种集成电路设计。
技术介绍
将集成电路(intergratedcircuit,IC)微型化的近期趋势，可以达到消耗更少电力并以较高的速度提供更多功能性。微型化制程亦导致对集成电路的布局设计的更严格限制。在集成电路的布局设计期间，功能单元或实体单元通常被放置在电路布局中，并且经布线以形成功能电路。功能电路包括具有通道区域的晶体管以及在主动区域中形成的主动区域。一些功能电路在不同电源域中实施。
技术实现思路
一种电源域间的隔离集成电路，包含类型一主动区域、类型二主动区域、第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第一类型二晶体管、第二类型二晶体管、第三类型一晶体管以及第四类型一晶体管。类型一主动区域及类型二主动区域形成两个平行主动区域，两个平行主动区域均在一第一方向上延伸。第一类型一晶体管在类型一主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，第一类型一晶体管中的栅极设置为具有一第一电源的一第一电源电压。第二类型一晶体管在类型一主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，半导体通道设置在一不导电状态。第一类型二晶体管在类本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包含：/n一类型一主动区域及一类型二主动区域，该类型一主动区域及该类型二主动区域形成两个平行主动区域，该两个平行主动区域均在一第一方向上延伸；/n一第一类型一晶体管，该第一类型一晶体管在该类型一主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，该第一类型一晶体管中的该栅极设置为具有一第一电源的一第一电源电压；/n一第二类型一晶体管，该第二类型一晶体管在该类型一主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，该半导体通道设置在一不导电状态；/n一第一类型二晶体管，该第一类型二晶体管在该类型二主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，该第一类型二晶体管中的该栅极设置为具有该第一电源的一第...

【技术特征摘要】
20180831 US 62/726,153;20190823 US 16/549,9831.一种集成电路，其特征在于，包含：
一类型一主动区域及一类型二主动区域，该类型一主动区域及该类型二主动区域形成两个平行主动区域，该两个平行主动区域均在一第一方向上延伸；
一第一类型一晶体管，该第一类型一晶体管在该类型一主动区域的一第一部分中并且具有一栅极，该第一类型一晶体管中的该栅极设置为具有一第一电源的一第一电源电压；
一第二类型一晶体管，该第二类型一晶体管在该类型一主动区域的一第二部分中并且具有一半导体通道，该半导体通道设置在一不导电状态；
一第一类型二晶体管，该第一类型二晶体管在该类型二主动区域的一第一部分中并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢麒友，江庭玮，庄惠中，苏品岱，高章瑞，苏郁迪，马伟翔，黄俊嘉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71