【技术实现步骤摘要】
互补金属氧化物半导体器件本申请要求于2018年8月24日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0098965号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种具有改善的插入损耗的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管的布局结构。
技术介绍
最近开发的移动Wi-Fi模块被配置为执行2.4GHz/5GHz双频段多输入多输出(MIMO)通信，并且需要Wi-Fi模块的小型化和集成设计以适配移动装置。此外，需要在一个芯片中包括功率放大器(PA)、内部耦合器、射频(RF)开关和低噪声放大器(LNA)的前端集成电路(FEIC)。为此，最近已经使用单片工艺将通过分离传统发送和接收而被配置为两个芯片的前端电路配置为单个芯片。在如上所述的前端集成电路(FEIC)形成为单个芯片的情况下，尽管可使用绝缘体上硅(SOI：Silicon-on-Insulator)工艺以最大化嵌入其中的射频开关的特性，但当使用SOI工艺时，设计功率放大器非常困难。因此，可使用BiCMO...
【技术保护点】
1.一种互补金属氧化物半导体器件，包括：/n高电阻率基板；/n第一互补金属氧化物半导体结构，设置在所述高电阻率基板的第一区域中；以及/n第二互补金属氧化物半导体结构，与所述第一互补金属氧化物半导体结构的半导体类型相同，并且设置在所述高电阻率基板的与所述第一区域分开的第二区域中，/n其中，所述高电阻率基板设置在所述第一互补金属氧化物半导体结构和所述第二互补金属氧化物半导体结构之间，以将所述第一互补金属氧化物半导体结构与所述第二互补金属氧化物半导体结构分开。/n
【技术特征摘要】
20180824 KR 10-2018-00989651.一种互补金属氧化物半导体器件，包括：
高电阻率基板；
第一互补金属氧化物半导体结构，设置在所述高电阻率基板的第一区域中；以及
第二互补金属氧化物半导体结构，与所述第一互补金属氧化物半导体结构的半导体类型相同，并且设置在所述高电阻率基板的与所述第一区域分开的第二区域中，
其中，所述高电阻率基板设置在所述第一互补金属氧化物半导体结构和所述第二互补金属氧化物半导体结构之间，以将所述第一互补金属氧化物半导体结构与所述第二互补金属氧化物半导体结构分开。
2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第一互补金属氧化物半导体结构和所述第二互补金属氧化物半导体结构中的每个是三阱结构。
3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第一互补金属氧化物半导体结构包括堆叠为第一三阱结构的第一低电阻率层、第一深N阱层和第一P阱层。
4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第二互补金属氧化物半导体结构包括堆叠为第二三阱结构的第二低电阻率层、第二深N阱层和第二P阱层。
5.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第一互补金属氧化物半导体结构包括：
第一低电阻率层，堆叠在所述高电阻率基板的所述第一区域中；
第一深N阱层，设置在所述第一低电阻率层上并且被所述第一低电阻率层围绕；
第一P阱层，设置在所述第一深N阱层上并且被所述第一深N阱层围绕；以及
第一源极区域、第一漏极区域和第一栅极区域，设置在所述第一P阱层中以分别形成所述第一互补金属氧化物半导体结构的源极、漏极和栅极。
6.根据权利要求5所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述第二互补金属氧化物半导体结构包括：
第二低电阻率层，堆叠在所述高电阻率基板的所述第二区域中；
第二深N阱层，设置在所述第二低电阻率层上并且被所述第二低电阻率层围绕；
第二P阱层，设置在所述第二深N阱层上并且被所述第二深N阱层围绕；以及
第二源极区域、第二漏极区域和第二栅极区域，设置在所述第二P阱层中以分别形成所述第二互补金属氧化物半导体结构的源极、漏极和栅极。
7.根据权利要求6所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述高电阻率基板的电阻率值大于所述第一低电阻率层的电阻率值和所述第二低电阻率层的电阻率值二者。
8.根据权利要求6所述的互补金属氧化物半导体器件，其中，所述高电阻率基板的在所述第一互补金属氧化物半导体结构和所述第二互补金属氧化物半导体结构之间的区域的厚度比所述第一低电阻率层的厚度和所述第二低电阻率层的厚度二者厚，并且所述高电阻率基板的所述厚度比所述第一低电阻率层和所述第一深N阱层的总厚度以及所述第二低电阻率层和所述第二深N阱层的总厚度二者薄。
9.一种互补金属氧化物半导体器件，包括：
高电阻率基板；
第一三阱结构的第一互补金属氧化物半导体结构，设置在所述高电阻率基板的第一区域中；以及
第二三阱结构的第二互补金属氧化物半导体结构...
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