半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括：半导体层。栅极结构位于半导体层上。间隔物位于栅极结构的侧壁上。间隔物的高度大于该栅极结构的高度。衬垫层位于栅极结构与间隔物上。间隔物与衬垫层的材料组成不同。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例关于制作半导体的方法，特别关于形成金属栅极的半导体制作方法。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代的集成电路具有更小且更复杂的电路。然而这些进展会增加处理与形成集成电路的复杂度。为了实现这些进展，处理与形成集成电路的方法需要类似发展。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺可产生的最小构件)缩小而增加。几何尺寸缩小会造成制作半导体的挑战。举例来说，由于构件具有不同尺寸，几何尺寸缩小会造成负载顾虑。举例来说，负载问题会造成晶体管额外损失栅极高度。一但损失栅极高度，将劣化装置效能甚至使装置失效。虽然现有的半导体装置与其制作方法通常适用其预期目的，但无法完全符合所有方面的需求。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体装置，包括：半导体层；栅极结构，位于半导体层上；间隔物，位于栅极结构的侧壁上，其中间隔物的高度大于栅极结构的高度；以及衬垫层，位于栅极结构与间隔物上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一半导体层；/n一栅极结构，位于该半导体层上；/n一间隔物，位于该栅极结构的一侧壁上，其中该间隔物的高度大于该栅极结构的高度；以及/n一衬垫层，位于该栅极结构与该间隔物上，其中该间隔物与该衬垫层的材料组成不同。/n

【技术特征摘要】
20180920 US 62/734,013;20190712 US 16/510,5541.一种半导体装置，包括：
一半...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏焕杰，徐崇威，林志昌，余佳霓，吴伟豪，林佑明，王志豪，江国诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71