工艺腔室及半导体加工设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种工艺腔室及半导体加工设备，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，腔室盖设置在腔室本体的顶部，并在腔室盖上设置有供等离子体进入腔室本体内部的进入开口；绝缘筒设置在腔室盖上，与腔室盖上表面连接，且绝缘筒的内部与进入开口连通；基座设置在腔室本体的内部，并位于进入开口的下方，且进入开口的正投影至少完全覆盖整个基座的正投影。本实用新型专利技术提供的工艺腔室及半导体加工设备，能够减少掉落至基座上的加工副产物，从而提高基座吸附衬底的稳定性，减少清理频率，节约人力，提高生产效率。

Process chamber and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室及半导体加工设备
本技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前，碳化硅(SiC)材料是一种极具潜力半导体材料，其能够应用于高温(600℃以上)、高压(1200V以上)、大功率和抗辐射系统下，并广泛用作微波功率器件的衬底材料。以碳化硅和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料凭借其优异的特性，可应用于硅(Si)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)难以胜任的场合，将成为半导体器件性能的突破口，正在迅速崛起。但是，颗粒沉积控制是碳化硅刻蚀的一个重要难点，刻蚀过程中的大量副产物如果无法迅速从腔室排出会给后续工艺产生巨大影响。在现有技术中，碳化硅刻蚀机包括工艺腔室、基座、陶瓷筒和线圈，其中，线圈设置在陶瓷筒外侧，用于将经过陶瓷筒的工艺气体激发形成等离子体，等离子体经过陶瓷筒后，自工艺腔室的上盖中的通道进入工艺腔室内，基座放置在工艺腔室，并位于通道的下方，以使等离子体能够对基座上的衬底进行刻蚀。但是，在现有技术中，刻蚀碳化硅产生的副产物会沉积在工艺腔室的上盖上，并且，由于上盖的正投影与基座的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，所述腔室盖设置在所述腔室本体的顶部，并在所述腔室盖上设置有供所述等离子体进入所述腔室本体内部的进入开口；/n所述绝缘筒设置在所述腔室盖上，与所述腔室盖上表面连接，且所述绝缘筒的内部与所述进入开口连通；/n所述基座设置在所述腔室本体的内部，并位于所述进入开口的下方，且所述进入开口的正投影至少完全覆盖整个所述基座的正投影。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、腔室盖、基座和用于产生等离子体的绝缘筒，其中，所述腔室盖设置在所述腔室本体的顶部，并在所述腔室盖上设置有供所述等离子体进入所述腔室本体内部的进入开口；
所述绝缘筒设置在所述腔室盖上，与所述腔室盖上表面连接，且所述绝缘筒的内部与所述进入开口连通；
所述基座设置在所述腔室本体的内部，并位于所述进入开口的下方，且所述进入开口的正投影至少完全覆盖整个所述基座的正投影。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述绝缘筒包括筒主体和环形连接部，其中，所述筒主体的内径小于所述进入开口的内径；
所述环形连接部与所述筒主体连接，并与所述腔室盖朝向所述腔室本体外部的一侧连接，且所述环形连接部的内部分别与所述进入开口和所述筒主体的内部连通，所述环形连接部的最小内径大于或等于所述筒主体的内径。


3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部的内径自其与所述筒主体连接的一端至其与所述腔室盖连接的另一端逐渐增大。


4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部包括圆台连接件，所述圆台连接件为圆台状，其内径最小的一端与所述筒主体的一端连接，内径最大的一端与所述腔室盖连接。


5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述环形连接部包括弯折连接件，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乐，柳朋亮，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11