【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于竖式炉的衬里和凸缘的组件及衬里和竖式炉
本专利技术涉及低压竖式炉,且更具体地涉及用于低压竖式炉的衬里和凸缘的组件,以及其中使用的竖式炉。衬里构造成在竖式炉的低压处理管的内部中延伸,并且凸缘构造成部分地封闭管的内部。
技术介绍
用于处理例如半导体晶片的衬底的竖式处理炉可包括围绕钟形罐状处理管放置的加热装置,以及同轴地设置在处理管内的基本上圆柱形的衬里。处理管的上端可例如由圆顶形结构封闭,而处理管的下端表面可为敞开的。衬里可在其上端和下端处敞开。下端可由凸缘部分地封闭。衬里和凸缘界定的内部空间形成处理室,其中可处理待处理的晶片。在衬里与处理管之间是周向空间。凸缘可设有用于将承载晶片的晶舟插入到内部空间中的入口开口。晶舟可以放置在门上,所述门以可竖直移动方式布置且构造成封闭凸缘中的入口开口。凸缘还可包括至少一个气体入口,至少一个气体入口与由衬里界定的内部空间流体连接。另外,可提供气体排气装置,其与衬里和处理管之间的周向空间流体连接。该气体排气装置可连接到真空泵以用于从周向空间泵送气体。这种构造可导致气体从衬里下端的空气入口穿过衬里的内部空间向上流动穿过衬里的开口端进入周向空间并通向气体排气装置。流中的气体可为用于在晶片上进行沉积反应的反应(处理)气体。此反应气体还可沉积于除竖式炉内的晶片外的其它表面上。用于处理衬底的竖式处理炉的问题可能是处理管的内部空间中的污染。
技术实现思路
因此,可能需要一种衬里和凸缘的改进的组件,其可能引起较少污染。因此,提供了一种根据第一实施 ...
【技术保护点】
1.一种衬里和凸缘的组件,所述衬里构造成在竖式炉的低压管的内部中延伸,所述衬里包括:/n基本上圆柱形壁,所述基本上圆柱形壁由下端处的衬里开口和较高端处的顶部封闭件界定,并且对于所述衬里开口上方的气体基本上封闭并且限定内部空间,所述凸缘构造成至少部分地封闭所述管的开口,并且包括:/n入口开口,所述入口开口构造成插入并且移除构造成在所述衬里的内部空间中承载衬底的舟皿;和/n气体入口,所述气体入口向所述内部空间提供气体,其中所述组件构造并且布置成具有气体排放开口,以从所述内部空间以及所述衬里与所述低压管之间的空间移除气体。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20170726 US 15/660,8051.一种衬里和凸缘的组件,所述衬里构造成在竖式炉的低压管的内部中延伸,所述衬里包括:
基本上圆柱形壁,所述基本上圆柱形壁由下端处的衬里开口和较高端处的顶部封闭件界定,并且对于所述衬里开口上方的气体基本上封闭并且限定内部空间,所述凸缘构造成至少部分地封闭所述管的开口,并且包括:
入口开口,所述入口开口构造成插入并且移除构造成在所述衬里的内部空间中承载衬底的舟皿;和
气体入口,所述气体入口向所述内部空间提供气体,其中所述组件构造并且布置成具有气体排放开口,以从所述内部空间以及所述衬里与所述低压管之间的空间移除气体。
2.根据权利要求1所述的组件,其中所述气体入口包括喷射器,所述喷射器构造并且布置在所述组件内,以沿所述衬里的基本上圆柱形壁朝所述较高端延伸到所述内部空间中,并且包括至少一个开口以在所述内部空间中喷射气体。
3.根据权利要求2所述的组件,其中在竖直方向上延伸的开口图案沿着所述喷射器设置。
4.根据权利要求2所述的组件,其中所述喷射器内部的气体传导通道的水平内部横截面面积在100和1500mm2之间。
5.根据权利要求2所述的组件,其中所述喷射器内部的气体传导通道的水平内部横截面具有一个形状,所述形状在与基本上圆柱形衬里的圆周相切的方向上的尺寸大于在径向方向上的尺寸。
6.根据权利要求2所述的组件,其中所述至少一个开口的面积能够在1到200mm2之间。
7.根据权利要求3所述的组件,其中所述开口之间的垂直距离在从所述喷射器的下端到顶端时减小。
8.根据权利要求3所述的组件,其中所述开口构造成使得在至少两个不同方向上喷射气体。
9.根据权利要求2所述的组件,其中所述至少一个开口从内到外具有凹形形状。
10.根据权利要求2所述的组件,其中所述开口定位在所述喷射器的两个垂直延伸的、间隔开的分支上。
11.根据权利要求2所述的组件,其中所述喷射器包括靠近所述衬里的顶端的一个开口。
12.根据权利要求1所述的组件,其中界定所述内部空间的所述衬里具有沿径向向外延伸的凸起。
13.根据权利要求1所述的组件,其中用于从所述内部空间移除气体的所述气体排放开口设置在所述衬里的开口端下方。
14.根据权利要求1所述的组件,其中所述组件设有安装在所述凸缘上的吹扫气体入口,以用于向所述衬里与所述管之间的空间提供吹扫气体。
技术研发人员:L杰迪拉,C德里德尔,T奥斯特拉肯,KP伯昂斯特拉,
申请(专利权)人:ASMIP私人控股有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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