用于制造半导体器件的方法技术

一种用于制造半导体器件的方法包括：提供第一晶片，第一晶片包括基体衬底和元件区域，基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，元件区域设置在基体衬底的所述第一表面上，其中，第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域均包括基体衬底的一部分和元件区域的一部分；在第一半导体芯片区域与第二半导体芯片区域之间在基体衬底中形成切割图案；研磨基体衬底的一部分以由第一晶片形成第二晶片；在经研磨的基体衬底的第二表面上形成应力释放层；以及扩展第二晶片以将第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域彼此分离。

Methods for manufacturing semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0113223的优先权，通过引用将其内容全部并入本文。
本公开涉及用于制造半导体器件的方法，更具体地，涉及用于制造半导体封装件的方法。
技术介绍
响应于电子设备中更高的功能和向移动应用的扩展，强烈需要半导体器件具有高密度和高集成度。因此，正在开发大容量和高密度的集成电路(IC)封装件。在制造半导体器件的方法中，在研磨晶片之后，将支撑膜(例如，管芯附着膜(DAF))结合到半导体晶片，并且通过切割将晶片切割成一个个半导体元件。在研磨晶片的工艺中产生的受损的膜可能成为晶种，从而在晶片中导致裂纹。这可能在用于划片(dicing)的扩展工艺中与应力反应，从而对IC图案造成损坏。
技术实现思路
本公开的各方面提供了一种使用应力释放层制造半导体器件的方法，所述应力释放层将在扩展工艺期间出现的应力抑制到最小。本公开的各方面还提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法能够通过等离子体工艺在应力释放层与支撑膜之间提供高的结合力。根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括基体衬底和元件区域，所述基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述元件区域设置在所述基体衬底的所述第一表面上，其中，所述第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域均包括所述基体衬底的一部分和所述元件区域的一部分；在所述第一半导体芯片区域与所述第二半导体芯片区域之间在所述基体衬底中形成切割图案；在形成所述切割图案之后，研磨所述基体衬底的一部分以由所述第一晶片形成第二晶片；在经研磨的所述基体衬底的所述第二表面上形成应力释放层；以及扩展所述第二晶片以将所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域彼此分离。根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括基体衬底和元件区域，所述基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述元件区域设置在所述基体衬底的所述第一表面上；研磨所述基体衬底的一部分以由所述第一晶片形成第二晶片；在所述第二晶片的经研磨的所述基体衬底的所述第二表面上形成应力释放层；使用等离子体工艺对所述应力释放层进行后处理；在经后处理的所述应力释放层上形成支撑膜；以及扩展所述第二晶片以对所述第二晶片进行划片。根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在第一晶片中提供基体衬底，所述基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述第一晶片在所述基体衬底的所述第一表面上具有元件区域，其中，所述第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域均包括所述基体衬底的一部分和所述元件区域的一部分；在所述元件区域上形成第一支撑膜；使用从所述基体衬底的所述第二表面入射的激光，在所述第一半导体芯片区域与所述第二半导体芯片区域之间在所述基体衬底中形成切割图案；在形成所述切割图案之后，研磨所述基体衬底的一部分以由所述第一晶片形成第二晶片；在经研磨的所述基体衬底的所述第二表面上形成应力释放层；使用等离子体工艺对所述应力释放层进行后处理；在经后处理的所述应力释放层上形成第二支撑膜；以及扩展所述第二晶片以将所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域彼此分离。附图说明通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其他方面及特征将变得更加明显，其中：图1是用于说明在研磨晶片后出现的裂纹的示例性横截面视图；图2A是其中具有裂纹的部分由于因扩展引起的应力而对IC图案造成损坏的示例性横截面视图；图2B是用于说明通过应力释放层来释放由于扩展引起的应力的示例性视图；图3是示出根据本公开的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图4是用于说明使用激光在晶片上形成切割图案的方法的透视图；图5A是示出研磨晶片的基体衬底的工艺的示例性视图；图5B是从顶部观察的图5A的研磨工艺的视图；图6是用于说明通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在晶片的基体衬底上沉积应力释放层的工艺的示例性视图；图7是示出通过扩展工艺来分离半导体芯片区域的示例性视图；图8是示出图3的工艺中晶片的横截面的流程图；图9是示出根据本公开的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图10是示出根据图9的工艺的晶片的横截面的流程图；图11是示出根据本公开的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图12是示出根据图11的工艺的晶片的横截面的流程图；图13是示出根据本公开的示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图；图14是用于说明使用等离子体涂覆应力释放层的方法的视图；以及图15是示出根据图13的工艺的晶片的横截面的流程图。由于图1-15中的附图旨在用于说明目的，因此附图中的元件不必按比例绘制。例如，为了清楚的目的，一些元件会被放大或夸大。具体实施方式由于对更轻、更薄、更短和紧凑的半导体产品的需求，所以不断需要薄晶片。目前已经产生了各种工艺来满足这些需求。在新产生的激光后研磨(GAL)工艺中，为了分割半导体芯片区域，可以通过激光在晶片内部形成切割图案。在晶片上形成切割图案后，可以对晶片进行研磨。在晶片研磨之后，可以对晶片进行扩展，以在结合晶片的支撑膜(例如，管芯附着膜(DAF))上沿着切割图案分割半导体芯片区域。图1是用于说明研磨晶片后出现的裂纹的示例性横截面视图。参考图1，由于研磨晶片100时出现的应力，在晶片100上可能产生受损的膜。由于在研磨工艺期间施加在晶片100上的应力，受损的膜可能变成晶种，而导致裂纹122。裂纹122可以从非晶硅124穿透到塑性硅(plasticsilicon)126，从非晶硅124穿透到弹性硅128，或者从非晶硅124穿透到其上形成有集成电路(IC)图案的晶体硅121。弹性硅128、塑性硅126和非晶硅124顺序地布置在晶体硅121上。图2A是其中具有裂纹的部分由于因扩展引起的应力而对IC图案造成损坏的示例性横截面视图。参考图2A，在研磨之后，可以使用扩展工艺来切割半导体芯片区域和支撑膜(例如，DAF)。由于扩展工艺引起的诸如拉伸应力的应力可能施加在晶片200上。晶片200上受损膜中的微裂纹在发生裂纹202的部分处可能由于施加的应力而生长，并且尺寸可能随着拉伸应力施加在晶片200上的时间而增大。生长的裂纹202也可能影响晶片200的IC图案部分。此外，半导体芯片区域不沿着预期用于分离半导体芯片区域而形成的切割图案204分离，并且裂纹202出现的部分可能因应力而分离。例如，半导体芯片区域可能因裂纹202而分离，而不是通过切割图案20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n提供第一晶片，所述第一晶片包括基体衬底和元件区域，所述基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述元件区域设置在所述基体衬底的所述第一表面上，其中，所述第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域均包括所述基体衬底的一部分和所述元件区域的一部分；/n在所述第一半导体芯片区域与所述第二半导体芯片区域之间在所述基体衬底中形成切割图案；/n在形成所述切割图案之后，研磨所述基体衬底的一部分以由所述第一晶片形成第二晶片；/n在经研磨的所述基体衬底的所述第二表面上形成应力释放层；以及/n扩展所述第二晶片以将所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域彼此分离。/n

【技术特征摘要】
20180920 KR 10-2018-01132231.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供第一晶片，所述第一晶片包括基体衬底和元件区域，所述基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述元件区域设置在所述基体衬底的所述第一表面上，其中，所述第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域均包括所述基体衬底的一部分和所述元件区域的一部分；
在所述第一半导体芯片区域与所述第二半导体芯片区域之间在所述基体衬底中形成切割图案；
在形成所述切割图案之后，研磨所述基体衬底的一部分以由所述第一晶片形成第二晶片；
在经研磨的所述基体衬底的所述第二表面上形成应力释放层；以及
扩展所述第二晶片以将所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域彼此分离。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于所述第二晶的片厚度为60μm或更小，所述应力释放层的厚度为500nm或更小。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，研磨所述基体衬底的一部分包括：对所述基体衬底的所述一部分进行粗研磨，然后对所述基体衬底的所述一部分进行细研磨。


4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括：
在对所述基体衬底的所述一部分进行细研磨之后，对所述基体衬底的所述一部分进行抛光。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力释放层通过化学气相沉积形成在经研磨的所述基底衬底的所述第二表面上。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述应力释放层形成在经研磨的所述基底衬底的所述第二表面上之后，使用等离子体工艺对所述应力释放层进行后处理。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力释放层包括聚合物材料。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基体衬底中形成所述切割图案使用了激光。


9.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供第一晶片，所述第一晶片包括基体衬底和元件区域，所述基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述元件区域设置在所述基体衬底的所述第一表面上；
研磨所述基体衬底的一部分以由所述第一晶片形成第二晶片；
在所述第二晶片的经研磨的所述基体衬底的所述第二表面上形成应力释放层；
使用等离子体工艺对所述应力释放层进行后处理；
在经后处理的所述应力释放层上形成支撑膜；以及
扩展所述第二晶片以对所述第二晶片进行划片。


10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，所述第一半导体芯片区域和所述第二半导体芯片区域均包括所...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔相壹，卢希锡，全成基，姜太圭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR