薄膜沉积设备制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜沉积设备，在一个外部腔室内装入多个盒子，而具有能够进行原子层沉积工艺的多个工艺腔室，对多张基板同时均匀地执行原子层沉积工艺。

Film deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
薄膜沉积设备
本专利技术涉及薄膜沉积设备，更具体涉及一种薄膜沉积设备，其在一个外部腔室内装入多个盒子，具有能够进行原子层沉积工艺的多个工艺腔室，对多张基板同时均匀地执行原子层沉积工艺。
技术介绍
一般而言，在半导体元件或平板显示元件等制造中，经过各种制造工艺，其中，在晶片或玻璃(下面，称为“基板”)上必须进行沉积预定的薄膜的工艺。该薄膜沉积工艺主要使用溅射法(sputtering)、化学气相沉积法(CVD:chemicalvapordeposition)、原子层沉积法(ALD:atomiclayerdeposition)等。首先，溅射法，例如，在将高电压施加至目标的状态下，将氩等惰性气体注入至工艺腔室内，以用于在等离子状态下生成氩离子。此时，氩离子被溅射至目标的表面，目标的原子由目标的表面滑脱而沉积至基板上。通过该溅射法形成与基板粘连性优秀的高纯度薄膜，但在通过溅射法沉积具有工艺差别的集成薄膜的情况下，极难以对整个薄膜确保均匀度。因此，对于细微图案形成工艺，在溅射法的适用上存在限制。而且，化学气相沉积法为最广泛使用的沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，/n包括：/n外部腔室，在一侧形成有第一开口部；/n长方体状的工艺腔室，以一侧面紧贴于所述外部腔室的内部的状态而并排设置一对，在一侧形成有第二开口部，执行原子层沉积工艺；/n多个盒子，既定地装载多个基板，以使各个基板之间的间距呈层状流动间距，并将所述工艺腔室内外部在装载所述基板的状态下移动，而进行原子层沉积工艺；/n气体供应装置，在所述工艺腔室内的一面，对装载于所述盒子的所有基板，以与所述基板的排列方向平行的方向向所述基板的前端部供应气体，以使在基板之间的空间构成层状流动；/n排气装置，设置在所述工艺腔室中的所述第二开口部的对面，从基板的后端部吸入所述工艺腔室...

【技术特征摘要】
20180920 KR 10-2018-01129041.一种薄膜沉积设备，其特征在于，
包括：
外部腔室，在一侧形成有第一开口部；
长方体状的工艺腔室，以一侧面紧贴于所述外部腔室的内部的状态而并排设置一对，在一侧形成有第二开口部，执行原子层沉积工艺；
多个盒子，既定地装载多个基板，以使各个基板之间的间距呈层状流动间距，并将所述工艺腔室内外部在装载所述基板的状态下移动，而进行原子层沉积工艺；
气体供应装置，在所述工艺腔室内的一面，对装载于所述盒子的所有基板，以与所述基板的排列方向平行的方向向所述基板的前端部供应气体，以使在基板之间的空间构成层状流动；
排气装置，设置在所述工艺腔室中的所述第二开口部的对面，从基板的后端部吸入所述工艺腔室内部的气体而排气；
加热器，设置于所述外部腔室的内部，对所述工艺腔室进行加热；
一对第一门，分别开闭所述一对工艺腔室的第二开口部；
第二门，开闭所述外部腔室的第一开口部；
连接装置，将所述一对第一门与所述一个第二门连接。


2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，
在所述第一门与第二门之间或第一门内部还具有加热前面的加热装置。


3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，
所述气体供应装置包括：
气体扩散供应凹槽，形成于所述工艺腔室的侧壁中的与所述第二开口部邻接的侧壁，对所述第二开口部整个宽幅均匀地扩散而供应气体；
气体供应口，形成于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：申雄澈，崔圭政，白敏，楊澈勳，
申请(专利权)人：NCD有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR