【技术实现步骤摘要】
薄膜制备设备及其反应腔室
本专利技术总体来说涉及一种半导体加工领域，具体而言，涉及一种薄膜制备设备及其反应腔室。
技术介绍
在现今的半导体工业中，硬掩模主要运用于多重光刻工艺中，首先把多重光刻胶图像转移到硬掩模上，然后通过硬掩模将最终图形刻蚀转移到衬底上。为应对集成电路临界尺寸越来越窄的需求，需要制造更高分辨率的图形，光刻胶厚度必须相应的降低以增加图样转移的精确度。因此,我们需要一个有高选择比的材料当硬掩模来减少光刻胶的厚度，尤其是应用在70纳米以下先进工艺中的高深宽比下的图样转移。现有技术中氮化硅，氮碳化硅,非晶硅,碳薄膜等薄膜皆可作为硬掩模。但对于底材氧化硅薄膜或是掺杂硼、磷或氟的氧化硅薄膜而言，碳薄膜的制造成本低，因此碳薄膜常用于高深宽比的光刻胶图样转移层或是硬掩模层。然而，现有技术中生长出的碳薄膜厚度的均匀程度较低，导致最终产品的良品率较低。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。...
【技术保护点】
1.一种薄膜制备设备的反应腔室，其特征在于，包括腔体以及设置在所述腔体内的载物平台；/n所述腔体包括：/n进气口，设置在所述载物平台的上方，用于输入反应气体；/n筒形的侧壁，设置有位于同一水平高度、由侧壁的内周壁凹陷形成且环绕所述载物平台分布的多个排气孔；以及/n排气流道，连通于每个所述排气孔；/n其中，所述排气流道抽气时，载物平台上方的气体从中间均匀地向四周流动。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜制备设备的反应腔室，其特征在于，包括腔体以及设置在所述腔体内的载物平台；
所述腔体包括：
进气口，设置在所述载物平台的上方，用于输入反应气体；
筒形的侧壁，设置有位于同一水平高度、由侧壁的内周壁凹陷形成且环绕所述载物平台分布的多个排气孔；以及
排气流道，连通于每个所述排气孔；
其中，所述排气流道抽气时，载物平台上方的气体从中间均匀地向四周流动。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述排气流道包括设置在所述侧壁内的环空流道以及分别连通所述环空流道对称两侧的两个第一通道；
多个所述排气孔均从所述内周壁延伸到所述环空流道。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体还包括覆盖在所述侧壁的底部的底壁，两个所述第一通道从所述环空流道向下延伸到所述底壁；
所述排气流道还包括设置在所述底壁的中部的出气口，以及设置在所述侧壁内且分别从两个所述第一通道延伸到所述出气口的两个第二通道。
4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，多个所述排气孔均分为分别靠近两个所述第二通道的两组排气孔，每组排气孔与其最接近的第二通道相对应；
在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道则相邻两个所述排气孔之间的间距越大。
5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，在每组排气孔中，越接近其所对应的第二通道则排气孔的孔径越小。
6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述腔体还包括覆盖在所述侧壁的顶端的顶壁，所述进气口设置在所述顶壁的中部。
7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述多个排气孔均匀环绕所述载物平台；
所述腔体还包括：
覆盖所述侧壁的顶端的顶壁，所述进气口设...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨康，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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