【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种具火焰通道的半导体废气处理装置。
技术介绍
半导体制程产生的废气中是有一种具强力侵蚀性的氟化性气体，其需要在一千度(℃)高温以上才能够被热分解成无害气体，习用的半导体废气处理装置在处理废气时，大都直接将燃气由头座喷入废气处理槽内，并在头座的燃气出口端将燃气点燃，使废气处理槽内能够形成一高温火焰，用以将废气中的氟化性气体予以热分解成无害的气体，以达到净化废气的目的。但是，上述废气处理槽内的高温火焰，是一种软性火焰，其火焰燃烧密度较为松散，废气能够轻易由火焰燃烧的空隙中穿过，且火焰燃烧的区域也仅只有位在燃气出口端，无法将废气处理槽内的废气逐一净化。而且，上述废气在经过高温火焰燃烧后，废气中的可燃性有害物质是会被燃烧形成灰烬，此一灰烬是会在废气中飘散并附着于槽壁上，在经过长时间的使用后，附着于槽壁的灰烬会逐渐变厚变硬，会导致废气处理槽无法继续正常作业。另外，上述习用的废气处理槽在经过高温火焰加热后，其槽壁的温度是会升高到达至少五、六百度(℃)以上，而废气中的氟化性气体在此一温度下的侵蚀性也最活跃，槽壁在此一温度下所受的侵蚀也最严重，在经过长时间的使用后，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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