半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其形成方法。用于形成结合衬垫结构的方法包括在半导体装置上形成互连结构，在互连结构上形成钝化层，经由钝化层形成至少一个开口，至少在开口中形成氧化层，及在氧化层上形成衬垫金属层。互连结构的一部分由至少一个开口而曝露。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
本揭示涉及一种半导体装置及一种半导体装置的形成方法。
技术介绍
一半导体装置包括一或多个导电金属层以作为金属互连。导电金属层经由介电材料与多个装置元件彼此耦接。导电金属层形成于彼此上方且定位于多个装置高度。此外，半导体装置包括作为衬垫结构的一部分的最上层或顶部金属层。因此，顶部金属层可电耦接焊料凸块或其他外部元件，以便实现与半导体装置的电连接。
技术实现思路
本揭示的一些实施例提供一种半导体装置的形成方法，其包括在半导体装置上形成互连结构；在互连结构上形成钝化层；形成穿过钝化层的至少一个开口，其中互连结构的一部分被此开口曝露；至少在开口中形成氧化层；及在氧化层上形成衬垫金属层。本揭示的一些实施例提供一种半导体装置，其包括互连结构、第一钝化层、氧化层及衬垫金属层。互连结构具有导电部分。第一钝化层位于导电部分上，且其内具有开口。氧化层位于导电部分的一部分上方，且至少位于第一钝化层的开口中。衬垫金属层直接位于氧化层上，且电连接至导电部分。本揭示的一些实施例提供一种半导体装置，其包括互连结构、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：/n在一半导体装置上形成一互连结构；/n在该互连结构上形成一钝化层；/n形成穿过该钝化层的至少一个开口，其中该互连结构的一部分被该至少一个开口曝露；/n至少在该开口中形成一氧化层；及/n在该氧化层上形成一衬垫金属层。/n

【技术特征摘要】
20180830 US 62/725,200;20190603 US 16/430,0751.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：
在一半导体装置上形成一互连结构；
在该互连结构上形成一钝化层；
形成穿过该钝化层的至少一个开口，其中该互连结构的一部分被该至少一个开口曝露；
至少在该开口中形成一氧化层；及
在该氧化层上形成一衬垫金属层。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，进一步包括：
经由一沉积制程，至少在该开口中沉积一阻障层，及该氧化层经由一氧化制程形成于该阻障层上方。


3.根据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中沉积该阻障层包括：
在该钝化层的一部分上沉积该阻障层，同时经由该至少一个开口在该互连结构上沉积该阻障层。


4.根据权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中形成该氧化层包括：
曝露该阻障层的一顶表面至一氧化剂气体达一时段；及
氧化该...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文豪，陈彦羽，林志威，戴逸明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71