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一种半导体装置及其形成方法。用于形成结合衬垫结构的方法包括在半导体装置上形成互连结构，在互连结构上形成钝化层，经由钝化层形成至少一个开口，至少在开口中形成氧化层，及在氧化层上形成衬垫金属层。互连结构的一部分由至少一个开口而曝露。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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