硅岛结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种硅岛结构及其制作方法，所述方法包括：在硅衬底内形成多个第一沟槽，至少在部分第一沟槽中填充绝缘材料，以在第一沟槽内形成第二沟槽，形成覆盖硅衬底以及第二沟槽侧壁及底部的保护层，刻蚀去除第二沟槽底部的保护层以及第二沟槽下方的绝缘材料，以露出第一沟槽，氧化被第一沟槽侧壁暴露出的硅衬底，至相邻第一沟槽侧壁之间的硅衬底全部氧化，以形成氧化层，去除第二沟槽侧壁的保护层，填充隔离材料在第二凹槽内形成隔离结构，从而形成多个彼此完全绝缘的硅岛，可以在目前工艺基础上，不需要额外的离子注入、键合等工艺实现特定区域硅岛的形成，从而实现与绝缘衬底上硅相同的特性，可以极大的降低工艺的复杂程度，降低成本。

Silicon island structure and its fabrication

【技术实现步骤摘要】
硅岛结构及其制作方法
本专利技术涉及集成电路制造
，具体涉及一种硅岛结构及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着半导体集成电路制造技术的发展，芯片中所含元件的数量不断增加，元件的尺寸也因集成度的提升而不断缩小，使用的线路宽度已进入微米的细小范围。然而，无论元件尺寸如何缩小化，在芯片中各个元件之间仍必须有适当地绝缘或隔离，才能得到良好的元件性质。这方面的技术一般称为元件隔离技术，其主要目的是在各元件之间形成隔离结构，并且在确保良好隔离效果的情况下，尽量缩小隔离结构所占的空间，以空留出更多的芯片面积来容纳更多的元件。现有的半导体制作技术中，通常使用绝缘衬底上硅(SOI：Silicon-On-Insulator)技术来实现良好的隔离，该SOI技术可以有效改善因器件特征尺寸减小所产生的衬底效应(Body-effect)，也可以通过多晶硅沉积研磨后再倒置的方法形成特定区域绝缘硅岛的方法来实现完全隔离。无论是SOI还是多晶硅研磨倒置形成硅岛的工艺，工艺都比较复杂，成本较高，且生产周期相对较长。图1～4为一种硅岛结构的制作方法的各步骤结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅岛结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一硅衬底，并在所述硅衬底内形成多个第一沟槽；/n形成绝缘材料，所述绝缘材料至少填充在部分所述第一沟槽的底部，以在相应的所述第一沟槽内形成第二沟槽；/n形成保护层，所述保护层覆盖所述硅衬底以及所述第二沟槽的侧壁及底部；/n刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层以及所述第二沟槽下方的所述绝缘材料，以露出所述第一沟槽；/n氧化被所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底，至相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的所述硅衬底全部氧化，以形成氧化层；/n去除所述第二沟槽侧壁的所述保护层；以及，/n填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构，在相邻的...

【技术特征摘要】
1.一种硅岛结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一硅衬底，并在所述硅衬底内形成多个第一沟槽；
形成绝缘材料，所述绝缘材料至少填充在部分所述第一沟槽的底部，以在相应的所述第一沟槽内形成第二沟槽；
形成保护层，所述保护层覆盖所述硅衬底以及所述第二沟槽的侧壁及底部；
刻蚀去除所述第二沟槽底部的所述保护层以及所述第二沟槽下方的所述绝缘材料，以露出所述第一沟槽；
氧化被所述第一沟槽侧壁暴露出的所述硅衬底，至相邻所述第一沟槽未被所述保护层覆盖的侧壁之间的所述硅衬底全部氧化，以形成氧化层；
去除所述第二沟槽侧壁的所述保护层；以及，
填充隔离材料在所述第二凹槽内形成隔离结构，在相邻的所述隔离结构之间的所述硅衬底构成硅岛。


2.如权利要求1所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一沟槽之前，还包括：在所述硅衬底上依次形成垫氧化层与阻挡层。


3.如权利要求2所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一沟槽的步骤包括：
形成图形化的光刻胶层在所述阻挡层上；以及，
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述阻挡层、所述垫氧化层以及部分厚度的所述硅衬底，以形成所述第一沟槽。


4.如权利要求3所述的硅岛结构的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成第二沟槽的步骤包括：
形成绝缘材料在所述硅衬底上，所述绝缘材料覆盖所述阻挡层并至少填满部分所述第一沟槽；
平坦化所述绝缘材料，至暴露出所述阻挡层；以及，
刻蚀至少部分第一沟槽内所述绝缘材料，至剩余部分厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲甜松，李庆民，陈信全，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34