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本发明提供了一种硅岛结构及其制作方法，所述方法包括：在硅衬底内形成多个第一沟槽，至少在部分第一沟槽中填充绝缘材料，以在第一沟槽内形成第二沟槽，形成覆盖硅衬底以及第二沟槽侧壁及底部的保护层，刻蚀去除第二沟槽底部的保护层以及第二沟槽下方的绝缘材...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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