一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法技术

本发明专利技术提供一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，提供衬底，在衬底上形成p阱；刻蚀所述p阱，形成用作STI区的第一凹槽；在第一凹槽底部继续刻蚀p阱，形成宽度和深度均远小于第一凹槽宽度和深度的第二凹槽；在第二凹槽周围的所述p阱中进行离子注入，形成用于隔离有源区的离子注入区。本发明专利技术针对超浅隔离槽，在不增加光罩的基础上，成功引入双重浅隔离槽，不但没有增加超浅隔离槽深度，而成功的增加有源区与有源区之间的击穿电压。

A process method to improve the isolation effect of ultra shallow isolation tank

【技术实现步骤摘要】
一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法。
技术介绍
现有的超浅隔离槽的隔离效应有三种，第一、对于STI深度小于3000A高压制程，(源/漏)S/D到阱的结(junction)和有源区AA到有源区AA的隔离(isolation)都有高压要求。第二、如图1所示，在不影响结击穿电压(junctionBv)的情况下，需额外的在浅沟槽隔离区STI的底部进行离子注入(IMP)来满足有源区AA到有源区AA的隔离要求。第三、随着设计规则(designrule)及工艺的更新，有源区AA到有源区AA的距离(space)逐步在缩小，有源区AA的有效隔离和结(junction)将无法兼顾。如图2所示，阱区的离子浓度太大会导致结击穿；如图3所示，若阱区离子浓度减小会导致耗尽区离得近，从而发生导通。因此，需要提出一种新的提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法来解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成p阱；/n步骤二、刻蚀所述p阱，形成用作STI区的第一凹槽；/n步骤三、在所述第一凹槽底部继续刻蚀所述p阱，形成宽度和深度均远小于所述第一凹槽宽度和深度的第二凹槽；/n步骤四、在所述第二凹槽周围的所述p阱中进行离子注入，形成用于隔离有源区的离子注入区。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成p阱；
步骤二、刻蚀所述p阱，形成用作STI区的第一凹槽；
步骤三、在所述第一凹槽底部继续刻蚀所述p阱，形成宽度和深度均远小于所述第一凹槽宽度和深度的第二凹槽；
步骤四、在所述第二凹槽周围的所述p阱中进行离子注入，形成用于隔离有源区的离子注入区。


2.根据权利要求1所述的提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，其特征在于：步骤二中形成用作STI区的第一凹槽的步骤包括：在所述衬底上悬涂光阻，依次经曝光和显影形成第一光阻图形；之后沿所述第一光阻图形刻蚀所述p阱，形成所述第一凹槽。


3.根据权利要求2所述的提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，其特征在于：步骤三中形成所述第二凹槽的步骤包括：在所述衬底上悬涂光阻，经过曝光和显影，形成第二光阻图形，沿所述第二光阻图形刻蚀所述p阱的底部。


4.根据权利要求1所述的提高超浅隔离槽隔离效应的工艺方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：巨晓华，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31