半导体装置的制造方法和制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置的制造方法和制造装置。半导体装置的制造方法包括：吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，所述边缘修整工序包括：利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。

Manufacturing method and device of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法和制造装置相关申请的交叉参考本申请基于2018年8月21日向日本特许厅提交的日本专利申请2018-154786号，因此将所述日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置的制造方法和制造装置。
技术介绍
在半导体装置制造中，要求将半导体器件晶片封装为更薄。具体地说，期望半导体器件晶片的厚度在50μm以下。在最先进的技术中已实现了厚度10μm的半导体器件晶片。通过使用固定磨粒砂轮的磨削技术进行半导体器件晶片的薄层化。当使半导体器件晶片薄层化时，如果在该晶片边缘发生破裂，则半导体器件芯片的成品率下降。在晶片边缘发生破裂的主要原因是在薄层化工序中磨削砂轮与半导体器件晶片的锐利边缘碰撞。因此，以往为了抑制半导体器件晶片的破裂，在用于薄层化的磨削之前会进行晶片边缘的修整(倒角)，这已为公众所知。例如，在日本专利公开公报特开2009-39808号中公开了利用杯形的金刚石磨削砂轮来进行半导体基板的边缘磨削加工(倒角加工)。在该文献的边缘磨削加工中，使用相对于水平旋转的半导体基板水平旋转的金刚石磨削砂轮。具体地说，以金刚石磨削砂轮的外周边缘部的垂直面与半导体基板的外周边缘部的垂直面重合的方式，使水平旋转的金刚石磨削砂轮从上方下降，进行对半导体基板的边缘面的磨削切入。此外，在日本专利公开公报特开2011-142201号中公开了一种半导体基板的边缘磨削工序，该半导体基板的边缘磨削工序使用以水平轴为中心而垂直旋转的金刚石制的边缘磨削砂轮。在该文献的边缘磨削工序中，使垂直旋转的边缘磨削砂轮向水平旋转的半导体基板的外周边缘下降。由此，使半导体基板的外周边缘的厚度减少到所希望的厚度。此外，在日本专利公开公报特开平9-216152号中公开了一种端部磨削装置。在该端部磨削装置中，利用沿Y轴方向(水平方向)配置的主轴使金刚石砂轮垂直旋转。通过使垂直旋转的金刚石砂轮的外周面与水平旋转的半导体晶片的外周部分抵接，对半导体晶片的外周部分进行磨削。此外，以往在半导体器件晶片的器件面上粘贴BG胶带(BackGrindTape背磨胶带)作为磨削保护层、以及在半导体器件晶片的器件面上借助树脂形成支撑晶片的方式亦即WSS(WaferSupportSystem晶片支撑系统)，这些已为公众所知。以往的修整工序一般来说通过由金刚石刀具切除半导体器件晶片的器件面的边缘部分的一部分的方法来进行。接着，在半导体器件晶片的器件面上粘贴BG胶带或形成WSS的支撑晶片。此后，通过磨削除去半导体器件晶片的背面。由此，进行半导体器件晶片的薄层化。如上所述，在半导体装置领域中，要求半导体器件晶片进一步的薄层化。为了实现上述薄层化，需要一种用于抑制半导体器件晶片破裂的高精度的修整技术。但是，在上述现有技术中，难以实现抑制半导体器件晶片碎裂的高精度且高效率的边缘修整工序。具体地说，在利用作为上述现有技术之一的杯形的金刚石磨削砂轮对边缘进行修整的方法中，加工速度慢且工作效率低。此外，由于杯形的金刚石磨削砂轮磨损，导致修整底面的垂直性变差，修整底面成为锥形。此外，在通过使垂直旋转的金刚石刀具压抵于水平旋转的半导体器件晶片的边缘部来进行修整的方法中，金刚石刀具与半导体器件晶片线接触。因此，对半导体器件晶片的剪切应力大。因此，在利用WSS在半导体器件晶片的器件面借助树脂形成支撑晶片的方式中，如果WSS的贴合不完整，则有时因金刚石刀具的剪切应力而在半导体器件晶片和/或WSS上产生新的缺陷。此外，在用金刚石刀具除去半导体器件晶片的器件面的边缘部的方法中，由于在器件面的外周形成有台阶的状态下进行BG胶带的粘贴或WSS的支撑晶片的形成。因此，进行薄层化工序时，容易产生半导体器件晶片的厚度偏差。此外，在上述的对半导体器件晶片的器件面进行修整的方法中，必须经由难以加工的金属和绝缘膜除去位于其下方的硅(Si)等半导体晶片。因此，金刚石刀具的磨损变大。此外，在上述的对半导体器件晶片的器件面进行修整的方法中，飞散的灰尘和污染物容易附着在器件面上。因此，需要进行精密清洗等使工艺成本增加。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供工作效率高的半导体装置的制造方法和制造装置，可以进行能够抑制半导体器件晶片破裂的、高精度且高效率的修整加工。本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其包括：吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，所述边缘修整工序包括：利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。此外，本专利技术提供一种半导体装置的制造装置，其包括：吸盘机构，将半导体器件晶片的器件面朝下进行吸附，并使所述半导体器件晶片水平旋转；旋转刀具，通过利用立式主轴进行水平旋转，对吸附于所述吸盘机构并水平旋转的所述半导体器件晶片的周侧面进行修整；以及超声波振动装置，向所述立式主轴施加超声波。按照本专利技术的制造方法，在进行将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面的吸附工序后，进行边缘修整。边缘修整包括：利用吸盘机构使半导体器件晶片水平旋转；利用立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及用旋转刀具对半导体器件晶片的周侧面进行修整。由此，能够在抑制了因形成于器件面表面的金属膜和绝缘膜等各种覆膜产生的影响的状态下，对半导体器件晶片的周侧面进行修整。特别是在本专利技术的制造方法的边缘修整工序中，利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转。由此，按照本专利技术制造方法的边缘修整，与现有技术的采用杯形的金刚石磨削砂轮等的修整相比，能够进行高速且高精度的修整。此外，由于旋转刀具的磨损少，所以能够抑制被修整的周侧面附近的破裂。此外，在使器件面朝下安装于吸盘机构的状态下，用水平旋转的施加有超声波的旋转刀具对半导体器件晶片进行修整。因此，不容易污染半导体器件晶片中的器件面。因此，不需要进行精密清洗，所以实现了半导体装置的低成本化。此外，本专利技术的制造方法可以包括薄层化工序，在边缘修整后执行，通过使用杯形砂轮的磨削法对半导体器件晶片的背面进行加工，从而使半导体器件晶片薄层化。由此，能够执行厚度偏差小的薄层化。因此，能够得到高平坦度且薄层化的半导体器件晶片。此外，作为吸盘机构，能够利用通过粘贴BG胶带或利用WSS的粘贴借助树脂的支撑晶片来保持器件面的构成。因此，在薄层化工序中，不容易产生半导体器件晶片的厚度偏差。此外，通过BG胶带或WSS支撑晶片来保护器件面。因此，不容易污染器件面且在器件面上不容易附着灰尘。此外，按照本专利技术的制造方法，用于边缘修整的旋转刀具的外周砂轮面附近可以比半导体器件晶片薄。由此，能够在半导体器件晶片的周侧面形成沿旋转方向延伸的凹部。由此，能够减少半导体器件晶片背面的污染。因此，能够进行精密的薄层化。此外，本专利技术的制造装置包括：吸盘机构，将半导体器件晶片的器件面朝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：/n吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及/n边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，/n所述边缘修整工序包括：/n利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；/n利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及/n用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。/n

【技术特征摘要】
20180821 JP 2018-1547861.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：
吸附工序，将半导体器件晶片的器件面朝下安装于吸盘机构的上表面；以及
边缘修整工序，在所述吸附工序后进行，
所述边缘修整工序包括：
利用所述吸盘机构使所述半导体器件晶片水平旋转；
利用施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；以及
用所述旋转刀具对所述半导体器件晶片的周侧面进行修整。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括薄层化工序，所述薄层化工序在所述边缘修整工序后执行，通过使用杯形砂轮的磨削法对所述半导体器件晶片的背面进行加工，使所述半导体器件晶片薄层化。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本荣一，三井贵彦，坂东翼，
申请(专利权)人：株式会社冈本工作机械制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP