【技术实现步骤摘要】
基板磨削装置和基板磨削方法
[0001]相关申请的交叉参考：本申请要求于2021年9月14日向日本特许厅提交的日本专利申请2021
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149742号的优先权，其全部内容以引用的方式并入本文。
[0002]本专利技术涉及基板磨削装置和基板磨削方法。
技术介绍
[0003]近年来，作为磨削加工的对象物的基板的大型化不断发展。作为这种大型基板，已知例如WLP(Wafer Level Package：晶圆级封装)和PLP(Panel Level Package：面板级封装)等，PLP是使WLP进一步大型化的大型安装基板。而且，期待一种有效且高精度地磨削这种大型基板的技术。
[0004]在日本特开2020
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40189号公报中公开了一种用于这种大型基板的磨削的基板磨削装置。日本特开2020
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40189号公报公开的基板磨削装置具备：杯型的精磨砂轮，其一边旋转一边磨削保持于工作台并旋转的基板；以及杯型的粗磨砂轮，其与精磨砂轮同时地接近基板并且一边旋转一边磨削基板。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板磨削装置，其特征在于，具备工作台、第一磨削砂轮和第二磨削砂轮，所述工作台构成为以吸附保持基板的状态旋转，所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮是杯型的砂轮，设置在能够与旋转的所述基板同时接触的位置，并且构成为分别一边旋转一边磨削旋转的所述基板，所述工作台构成为能够使所述基板的旋转中心从所述第一磨削砂轮的磨削范围内的第一磨削位置移动到所述第二磨削砂轮的磨削范围内的第二磨削位置。2.根据权利要求1所述的基板磨削装置，其特征在于，在所述基板的所述旋转中心位于所述第一磨削位置的状态下，执行所述第一磨削砂轮对所述基板的磨削，在所述基板的所述旋转中心位于所述第二磨削位置的状态下，执行所述第二磨削砂轮对所述基板的磨削。3.根据权利要求1或2所述的基板磨削装置，其特征在于，在所述基板的所述旋转中心位于所述第二磨削位置的状态下，能够利用所述第一磨削砂轮和所述第二磨削砂轮同时执行所述基板的磨削。4.一种基板磨削方法，其特征在于，包括：将基板吸附于自由旋转的工作台；使保持有所述基板的所述工作台移动而使得所述基板的旋转中心位于第一磨削位置，所述第一磨削位置处在杯型的第一磨削砂轮和杯型的第二磨削砂轮的下方且处在所述第一磨削砂轮的磨削范围内；在所述基板的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：井出悟，三井贵彦，山本宽，
申请(专利权)人：株式会社冈本工作机械制作所，
类型：发明
国别省市：
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