双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开的双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置中，所述双充集成电路包括：用于提供基准信号的基准单元；用于提供复位信号的复位单元；与基准单元及复位单元连接的、用于分别对若干个电池进行充电的双充模块。本发明专利技术通过设置双充模块同时对两个电池进行充电，实现了同一集成电路对多个电池同时充电的目的。

Application circuit and charging device of dual charge integrated circuit, chip and dual charge chip

【技术实现步骤摘要】
双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置
本专利技术涉及电池充电领域，特别涉及双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置。
技术介绍
随着电子工业技术的发展，充电产品在人们的日常生活中应用越来越广泛，现有的智能快速充电处理形式也是多种多样，而且应用领域十分广泛。其中比较大的用途，是在手机电池，电动车电池等。目前，越来越多的产品需要两个以上同时充电，但是现有专用集成电路只能一个一个的充，应用有很大局限性。因此现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供双充集成电路、芯片、双充芯片的应用电路及充电装置，通过设置双充模块同时对两个电池进行充电，实现了同一集成电路对多个电池同时充电的目的。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：本专利技术提供一种双充电路，包括：用于提供基准信号的基准单元；用于提供复位信号的复位单元；与基准单元及复位单元连接的、用于分别对若干个电池进行充电的双充模块。所述双充电路还包括：与复位单元、基准单元及双充模块连接的、用于对双充模块进行智能控制的智能控制模块。所述双充模块包括：用于对不同电池进行充电的第一充电单元和第二充电单元；所述第一充电单元和第二充电单元均与复位单元、基准单元及智能控制模块连接，所述第一单元。所述太阳能模块包括：所述智能控制模块包括：用于检测电池温度并根据检测到的温度控制充电电流的温控单元；用于检测第一充电单元的电流并进行均衡的第一输出电流控制单元；用于检测第二充电单元的电流并进行均衡的第二输出电流控制单元；所述温控单元与第一充电单元和第二充电单元连接的，所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元均与复位单元、基准单元连接，所述第一输出电流控制单元还与第一充电单元连接，所述第二输出电流控制单元还与第二充电单元连接，所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元互联。所述温控单元包括第一非门、第二非门、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第一三极管、第二三极管；所述第一非门的输入端连接第一使能信号，所述第一非门的输出端与第二非门的输入端连接；所述第二非门的输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管的源极以及第七MOS管、第八MOS管的衬底连接并接地，所述第一MOS管的漏极接第一偏置电流BLAS、并与所述第二MOS管的漏极和栅极、第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第五MOS管的栅极及第六MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一三极管的基极、第二三极管的发射极连接，所述第四MOS管的漏极与所述第八MOS管的栅极及第一三极管的发射极连接，所述第五MOS管的漏极与源极互联，所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极及第七MOS管的源极连接，所述第七MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极和源极、第十二MOS管的栅极连接，所述第九MOS管的源极与所述第一三极管的集电极、第二三极管的基极和集电极、第十MOS管的源极、第十一MOS管的源极、第十二MOS管的源极连接，所述第八MOS管的漏极与所述第十MOS管的漏极和栅极、第十一MOS管的栅极连接，所述第十一MOS管的漏极与第十三MOS管的漏极和栅极、第十四MOS管的栅极连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第十四MOS管的漏极连接并输出至第一充电单元和第二充电单元。所述第一输出电流检测单元包括：电压跟随器、电压控制运放、电流运放、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第十四MOS管、第十五MOS管、选择器；所述电压跟随器的第一输入端与基准单元连接，所述电压跟随器的第二输入端接第五偏置电流，所述电压跟随器的输出端与第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻及第六电阻依次连接并接地，所述选择器的第一输入端与第一电阻及第二电阻连接，所述选择器的第二输入端与所述第三电阻及第四电阻连接，所述选择器的第三输入端与所述第四电阻及第五电阻连接，所述选择器的第四输入端接第一电池反馈，所述选择器的第五输入端接第二偏置电流，所述选择器的输出端与所述电流运放的第一输入端连接，所述电流运放的第二输入端接第二电池反馈，所述电流运放的第三输入端与接第四偏置电流，所述电流运放的输出端接第十五MOS管的源极，所述电压控制运放的第二输入端接第三电池反馈，所述电压控制运放的第三输入端接第三偏置电流，所述电压控制运放的第四输入端接第二使能信号，所述电压控制运放的输出端与第十六MOS管的源极连接、并输出至第一充电单元，所述第十五MOS管的栅极与漏极互联、并与第十六MOS管的栅极和漏极、第一充电单元连接。所述选择器包括：第三非门、第四非门、第五非门、第六非门、第七非门、第八非门、第一与门、第二与门、第一比较器、第一CMOS传输门、第二CMOS传输门、第三CMOS传输门、第四CMOS传输门；所述第一比较器的第一输入端与接第一电压反馈，所述第一比较器的第三输入端接第二偏置电流，所述第一比较器的输出端与第三非门的输入端、第一与门的第一输入端连接，所述第三非门的输出端与第一CMOS传输门的第三端、第六非门的输入端、第七非门的输入端、第二CMOS传输门的第二端连接，所述第一CMOS传输门的第一端与第四电阻和第五电阻连接，所述第一CMOS传输门的第二端与第六非门的输出端连接，所述第一CMOS传输门的第四端与所述第二CMOS传输门的第四端及第三CMOS传输门的第一端连接，所述第七非门的输出端与所述第二CMOS传输门的第三端连接，所述第二CMOS传输门的第一端与所述第一电阻和第二电阻连接，所述第三CMOS传输门的第二端与所述第八非门的输出端连接，所述第八非门的输入端与所述第四CMOS传输门的第二端、第五非门的输入端、第二与门的输出端连接，所述第二与门的第一输入端与所述第二输出电流检测单元连接，所述第二与门的第二输入端与所述第四非门的输出端及第一充电单元连接，所述第四非门的输入端与第一与门的输出端连接，所述第一与门的第二输入端接第三使能信号，所述第五非门的输出端与所述第四CMOS传输门的第三端连接，所述第四CMOS传输门的第一端与所述第三电阻和第四电阻连接，所述第四CMOS传输门的第四端与所述第三CMOS传输门的第四端连接并输出至电流运放的第一输入端。一种双充芯片，包括：芯片本体，所述芯片本体上设置有如上文所述的双充电路，所述芯片本体及所述双充电路上覆盖有塑封胶。所述芯片本体上设置有：用于连接电源的第一引脚；用于接地的第二引脚；用于与第一电池连接的第三引脚；用于与第二电池连接的第四引脚；用于与第一指示灯连接的第五引脚；用于与第二指示灯连接的第六本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双充集成电路，其特征在于，包括：/n用于提供基准信号的基准单元；/n用于提供复位信号的复位单元；/n与基准单元及复位单元连接的、用于分别对若干个电池进行充电的双充模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种双充集成电路，其特征在于，包括：
用于提供基准信号的基准单元；
用于提供复位信号的复位单元；
与基准单元及复位单元连接的、用于分别对若干个电池进行充电的双充模块。


2.根据权利要求1所述的双充集成电路，其特征在于，所述双充电路还包括：
与复位单元、基准单元及双充模块连接的、用于对双充模块进行智能控制的智能控制模块。


3.根据权利要求2所述的双充集成电路，其特征在于，所述双充模块包括：
用于对不同电池进行充电的第一充电单元和第二充电单元；
所述第一充电单元和第二充电单元均与复位单元、基准单元及智能控制模块连接，所述第一单元。


4.根据权利要求3所述的双充集成电路，其特征在于，所述智能控制模块包括：
用于检测电池温度并根据检测到的温度控制充电电流的温控单元；
用于检测第一充电单元的电流并进行均衡的第一输出电流控制单元；
用于检测第二充电单元的电流并进行均衡的第二输出电流控制单元；
所述温控单元与第一充电单元和第二充电单元连接的，所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元均与复位单元、基准单元连接，所述第一输出电流控制单元还与第一充电单元连接，所述第二输出电流控制单元还与第二充电单元连接，所述第一输出电流控制单元和第二输出电流控制单元互联。


5.根据权利要求4所述的双充集成电路，其特征在于，所述温控单元包括第一非门、第二非门、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第一三极管、第二三极管；
所述第一非门的输入端连接第一使能信号，所述第一非门的输出端与第二非门的输入端连接；所述第二非门的输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第十三MOS管和第十四MOS管的源极以及第七MOS管、第八MOS管的衬底连接并接地，所述第一MOS管的漏极接第一偏置电流、并与所述第二MOS管的漏极和栅极、第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第五MOS管的栅极及第六MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与所述第一三极管的基极、第二三极管的发射极连接，所述第四MOS管的漏极与所述第八MOS管的栅极及第一三极管的发射极连接，所述第五MOS管的漏极与源极互联，所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的源极及第七MOS管的源极连接，所述第七MOS管的漏极与所述第九MOS管的漏极和栅极、第十二MOS管的栅极连接，所述第七MOS管的栅极接第二基准电压，所述第九MOS管的源极与所述第一三极管的集电极、第二三极管的基极和集电极、第十MOS管的源极、第十一MOS管的源极、第十二MOS管的源极连接，所述第八MOS管的漏极与所述第十MOS管的漏极和栅极、第十一MOS管的栅极连接，所述第十一MOS管的漏极与第十三MOS管的漏极和栅极、第十四MOS管的栅极连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第十四MOS管的漏极连接并输出至第一充电单元和第二充电单元。


6.根据权利要求5所述的双充集成电路，其特征在于，所述第一输出电流检测单元包括：电压跟随器、电压控制运放、电流运放、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第十四MOS管、第十五MOS管、选择器；
所述电压跟随器的第一输入端与基准单元连接，所述电压跟随器的第二输入端接第五偏置电流，...

【专利技术属性】
技术研发人员：任仕鼎，谢大盛，王文胜，吴文龙，
申请(专利权)人：深圳市励创微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44