用于操作基于隔离的存储器的方法和设备技术

本申请涉及一种用于操作基于隔离的存储器的方法和设备。描述用于操作一或多个存储器单元的方法、系统和装置。可通过向存储器单元施加电压以造成包含在所述存储器单元中的存储元件内的离子移动来编程所述存储元件的电阻，其中所述存储元件保持处于单相位且基于所述存储元件内的离子的位置而具有不同电阻率。在一些状况下，多个此种存储元件可包含在存储器单元中，其中所述存储元件内的离子不同地响应于电脉冲，且可通过向所述存储器单元施加一系列电压或电流来将非二进制逻辑值存储在所述存储器单元中。

Methods and devices for operating isolated memory

【技术实现步骤摘要】
用于操作基于隔离的存储器的方法和设备交叉参考本专利申请案要求Boniardi等人在2018年8月13日提交的标题为“基于隔离的存储器(SEGREGATION-BASEDMEMORY)”的美国专利申请案第16/102,493号的优先权，所述美国专利申请案让与给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。

涉及一种基于隔离的存储器。
技术介绍
下文大体上涉及操作存储器系统且更具体地说涉及一种基于隔离的存储器(SBM)。存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储多于两个的状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n选择用于写入操作的存储器单元，所述存储器单元包括具有第一电阻率的第一材料和具有第二电阻率的第二材料；/n在所述写入操作期间向所述存储器单元施加第一电压，在施加所述第一电压之后所述第一材料具有第三电阻率且所述第二材料具有第四电阻率；以及/n在所述写入操作期间向所述存储器单元施加第二电压，在施加所述第二电压之后所述第一材料具有所述第一电阻率且所述第二材料具有所述第四电阻率，其中所述第一材料在施加所述第一电压之前且在施加所述第二电压之后处于第一相位，并且所述第二材料在施加所述第一电压之前且在施加所述第二电压之后处于第二相位。/n

【技术特征摘要】
20180813 US 16/102,4931.一种方法，其包括：
选择用于写入操作的存储器单元，所述存储器单元包括具有第一电阻率的第一材料和具有第二电阻率的第二材料；
在所述写入操作期间向所述存储器单元施加第一电压，在施加所述第一电压之后所述第一材料具有第三电阻率且所述第二材料具有第四电阻率；以及
在所述写入操作期间向所述存储器单元施加第二电压，在施加所述第二电压之后所述第一材料具有所述第一电阻率且所述第二材料具有所述第四电阻率，其中所述第一材料在施加所述第一电压之前且在施加所述第二电压之后处于第一相位，并且所述第二材料在施加所述第一电压之前且在施加所述第二电压之后处于第二相位。


2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
至少部分地基于所述第一材料的电阻率和所述第二材料的电阻率来确定所述存储器单元的逻辑值。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一电阻率和所述第二电阻率的第一组合对应于第一逻辑值，所述第三电阻率和所述第四电阻率的第二组合对应于第二逻辑值，且所述第一电阻率和所述第四电阻率的第三组合对应于第三逻辑值。


4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
经由所述写入操作识别存储在所述存储器单元处的逻辑值；以及
至少部分地基于所述逻辑值确定所述第一电压的极性和所述第二电压的极性。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压至少部分地基于所述第一材料的第一玻璃转变温度；且其中所述第二电压至少部分地基于所述第二材料的第二玻璃转变温度，所述第二玻璃转变温度大于所述第一玻璃转变温度。


6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
选择用于读取操作的所述存储器单元；以及
在所述读取操作期间向所述存储器单元施加第三电压；以及
至少部分地基于施加所述第三电压来确定由所述存储器单元存储的逻辑值。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一材料的电阻率对应于第一阈值电压且所述第二材料的电阻率对应于第二阈值电压。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压的量值高于所述第二电压的量值。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压具有第一极性且所述第二电压具有第二极性。


10.一种方法，其包括：
选择用于写入操作的存储器单元，所述存储器单元包括处于第一相位的第一材料，所述第一材料具有第一电阻率，所述第一电阻率对应于由所述第一材料存储的第一逻辑值；以及
在所述写入操作期间向所述存储器单元施加第一电压，其中在施加所述第一电压之后所述第一材料保持处于所述第一相位且具有第二电阻率，所述第二电阻率对应于由所述第一材料存储的第二逻辑值。


11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
在第二写入操作期间向所述存储器单元施加第二电压，在施加所述第二电压之后所述第一材料保持处于所述第一相位且具有所述第一电阻率。


12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一电压具有第一极性且所述第二电压具有第二极性，且其中所述第一电阻率低于所述第二电阻率。


13.根据权利要求10所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·博尼亚蒂，A·皮罗瓦诺，I·托尔托雷利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US