一种低功耗的相变存储器初始化操作方法技术

本发明专利技术涉及一种低功耗的相变存储器初始化操作方法，属于微纳米电子技术领域，在进行常规操作前，先施加一个大幅度的RESET操作脉冲，使得相变材料内部形成较大的非晶区域，再通过SET操作将此非晶区域完全转换为立方(FCC)晶粒区域，从而有效改善相变存储单元内部的晶粒分布，降低后续写操作电流，从而降低整个单元的操作功耗。

A low power initialization method for phase change memory

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗的相变存储器初始化操作方法
本专利技术属于微纳米电子
，涉及一种低功耗的相变存储器初始化操作方法。
技术介绍
存储器是半导体产业的重要组成部分，目前市场上主流的存储器包括SRAM、DRAM和FLASH等，这些存储器在各个方面起着重要作用。新型非挥发存储器主要有铁电存储器(FRAM)、磁存储器(MRAM)和相变存储器(PCRAM)。PCRAM是一种新型的固态半导体存储器，它是基于Ovshisky在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电效应的存储器。PCRAM可制作在硅衬底上，其关键材料为相变薄膜、加热电极材料、绝热材料和引出电极材料等。PCRAM具有存储单元尺寸小、非挥发性、循环寿命长、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点，特别是在器件尺寸的微缩方面优势尤为突出，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一，在低压、低功耗、高速、高密度和嵌入式存储方面有着广阔的商用前景。相变存储器的基本原理是利用电脉冲信号作用于器件单元上，使相变材料在非晶态与多晶态之间发生可逆相变，通过分辨非晶态时的高阻与多晶态时的低阻，可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗的相变存储器初始化操作方法，其特征在于：在进行常规操作前，先进行初始化操作，所述初始化操作包括初始化RESET操作脉冲和初始化SET操作脉冲；初始化RESET操作脉冲使得相变存储单元内部材料多发的六方HEX晶粒转变为一个大的非晶区域，脉冲高度略高于RESET操作脉冲高度；初始化SET操作脉冲使得非晶区域完全转换为立方FCC晶粒区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的相变存储器初始化操作方法，其特征在于：在进行常规操作前，先进行初始化操作，所述初始化操作包括初始化RESET操作脉冲和初始化SET操作脉冲；初始化RESET操作脉冲使得相变存储单元内部材料多发的六方HEX晶粒转变为一个大的非晶区域，脉冲高度略高于RESET操作脉冲高度；初始化SET操作脉冲使得非晶区域完全转换为立方FCC晶粒区域。


2.根据权利要求1所述的低功耗的相变存储器初始化操作方法，其特征在于：所述初始化操作首先进行RESET操作脉冲，然后进行SET操作脉冲。


3.根据权利要求1所述的低功耗的相变存储器初始化操作方法，其特征在于：所述初始化RESET操作脉冲宽度与后续RESET操作脉冲宽度相当。


4.根据权利要求1所述的低功耗的相变存储器初始化操作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉婵，袁素真，王玉菡，张文霞，王斌，陈伟中，王振，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50