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本发明涉及一种低功耗的相变存储器初始化操作方法，属于微纳米电子技术领域，在进行常规操作前，先施加一个大幅度的RESET操作脉冲，使得相变材料内部形成较大的非晶区域，再通过SET操作将此非晶区域完全转换为立方(FCC)晶粒区域，从而有效改善相...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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