忆阻器的读写电路及读写方法技术

本发明专利技术公开了一种忆阻器的读写电路及读写方法，其中上述读写电路主要包括读电路和写电路，其中写电路包括：与忆阻器存储阵列电连接的第一电压跟随电路及与第一电压选择器，读写电路还包括有与忆阻器存储阵列电连接的第二电压跟随电路及第二电压选择器，通过上述选择器来选择双极写入时的电压稳定跟随，同时在读电路上设置了可变电阻选择接入的方式，将实际读出电压和在相同读电压下的经参考电阻的输出电压输入差分放大器获得读出数据，按照本发明专利技术实现的读写电路及读写方法，简化了读写电路，能够提供高速稳定的读写电压，并在读出电路的设计中考虑了忆阻器随机涨落，提高了忆阻器电路的稳定性，其中读电路同样适用于二值与多值忆阻器。

The reading and writing circuit and method of memristor

【技术实现步骤摘要】
忆阻器的读写电路及读写方法
本专利技术属于忆阻器读写电路领域，更具体地，涉及一种忆阻器的读写电路及读写方法。
技术介绍
以忆阻材料为基底的存储器材料，例如以HfOx为基底的材料或类似的材料，可通过对其施加适当的电压，来使忆阻材料在高阻，低阻设置多阻之间进行转换。一般来说低阻态是导电通路形成的状态，具有低阻值，高阻态则是导电通路断开的状态，具有高阻值，通过忆阻材料这种对不同激励的响应形成多种不同的阻态来实现储存或读取数据。忆阻器的存储和读取操作包括多种幅值大小不同的电压，例如忆阻器读写操作中最基本的操作为set(写1)和reset(写0)操作，而对应于多阻态忆阻器的操作则是加多个相应的set或者reset脉宽来达到相应的电阻态。对于上述的各种操作，需要快速准确地在忆阻器电极端加上电压，同时忆阻器的阻值状态随着各种操作电压地施加发生快速转变，因此施加的写电压必须有较好的稳定性并且不随忆组器阻值的改变而发生漂移改变，否则容易导致写失败或者过操作，使得阻值分布出现更大的随机涨落，导致读出数据出错。
技术实现思路
针对现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种忆阻器读写电路，其特征在于，其包括对施加于忆阻器存储单元的读写回路电压，设置电压跟随电路，所述电压跟随电路依据控制信号接选择电压或与所述选择电压对应的对所述忆阻器存储单元形成读写操作回路的导通电压，以此方式对所述读写回路实现开关作用。/n

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器读写电路，其特征在于，其包括对施加于忆阻器存储单元的读写回路电压，设置电压跟随电路，所述电压跟随电路依据控制信号接选择电压或与所述选择电压对应的对所述忆阻器存储单元形成读写操作回路的导通电压，以此方式对所述读写回路实现开关作用。


2.如权利要求1所述的忆阻器读写电路，其特征在于，所述电压跟随电路包括电压选择器，所述电压选择器输入一端接入所述操作回路的导通电压，所述电压选择器另外输入一端接放大器，所述放大器的另外一输入端接入所述选择电压，所述放大器输出端连接反馈管，所述电压选择器也接入反馈管以此形成电压跟随回路。


3.如权利要求1或2中的忆阻器读写电路，其特征在于，所述读写电路应用于双极型忆阻器，与忆阻器存储单元一极电连接的第一电压选择器(31)之间及与忆阻器存储单元另一极和其电连接的第二电压选择器(32)之间，以上两个电连接或其中一个电连接设置所述电压跟随电路，所述第一电压选择器(31)及所述第二电压选择器(32)用于选择所述选择电压输入至所述电压跟随电路。


4.如权利要求1-3中所述的忆阻器读写电路，其特征在于，读电路(4)包括输出读出数据的差分放大器(47)，其中所述差分放大器(47)第一支路来自所述忆阻器存储单元的读出信号；
所述读电路(4)还包括可变电阻选择器(45)，所述可变电阻选择器(45)依据控制信号选择相应参考阻值电阻接入参考读电压回路(43，44)形成第二支路读出信号输入至所述差分放大器(47)。


5.如权利要求4中所述的忆阻器读写电路，其特征在于，所述参考读电压回路(43，44)包括第三电压跟随电路(44)，所述第三电压跟随电路(44)包括第三放大器(441)，第三反馈管(442)，其中所述第三放大器(441)一输入端接所述可变电阻选择器(45)的输出，同时与所述第三反...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴晟，黄恩铭，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42