【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储单元的检测方法
本专利技术涉及一种存储器的检测方法，尤其涉及一种电阻式随机存取存储单元(resistiverandomaccessmemory，RRAM)的检测方法。
技术介绍
RRAM是一种非易失性存储器，其中的RRAM单元各自包括上电极板、下电极板、及夹在上、下电极板之间的电阻转换层(resistiveswitchinglayer)。电阻转换层可通过在上电极板上施加合适电压以对存储单元进行成型(forming)操作，可在电阻转换层中形成电阻转换层的导电路径(通常称为导电丝(conductivefilament，CF))。导电丝一旦形成，便可通过在上电极板上施加适当的电压对其进行重置(reset)操作(即，令导电丝断开或破裂，导致在RRAM单元上出现高阻值状态(highresistancestate，HRS)。之后，可再通过在上电极板上施加适当的电压对RRAM单元进行设定(set)操作(即，重新形成导电丝，导致在RRAM单元上出现低阻值状态(lowresistancestate，LRS))。LRS和HRS...
【技术保护点】
1.一种电阻式随机存取存储单元的检测方法，其特征在于，包括：/n取得电阻式随机存取存储单元，并测量所述电阻式随机存取存储单元的存储单元电流；/n当所述存储单元电流的电流数值大于第一门限值时，对所述电阻式随机存取存储单元进行多个重置操作及设定操作的至少其中之一者；/n判断所述电阻式随机存取存储单元的阻值状态是否在经历所述多个重置操作及所述设定操作的至少其中之一者之后相应地切换；/n若否，对所述电阻式随机存取存储单元进行复原操作以复原所述电阻式随机存取存储单元；以及/n若是，判定所述电阻式随机存取存储单元处于健康状态。/n
【技术特征摘要】
1.一种电阻式随机存取存储单元的检测方法，其特征在于，包括：
取得电阻式随机存取存储单元，并测量所述电阻式随机存取存储单元的存储单元电流；
当所述存储单元电流的电流数值大于第一门限值时，对所述电阻式随机存取存储单元进行多个重置操作及设定操作的至少其中之一者；
判断所述电阻式随机存取存储单元的阻值状态是否在经历所述多个重置操作及所述设定操作的至少其中之一者之后相应地切换；
若否，对所述电阻式随机存取存储单元进行复原操作以复原所述电阻式随机存取存储单元；以及
若是，判定所述电阻式随机存取存储单元处于健康状态。
2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储单元的检测方法，其特征在于，在判定所述电阻式随机存取存储单元处于所述健康状态之后，还包括：
依据数据写入请求而对所述电阻式随机存取存储单元进行实际设定操作或实际重置操作。
3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储单元的检测方法，其特征在于，对所述电阻式随机存取存储单元进行所述多个重置操作及所述设定操作的至少其中之一者，并判断所述电阻式随机存取存储单元的所述阻值状态是否在经历所述多个重置操作及所述设定操作的至少其中之一者之后相应地切换的步骤包括：
当所述存储单元电流的所述电流数值介于所述第一门限值及第二门限值之间时，对所述电阻式随机存取存储单元进行所述设定操作，并判断所述存储单元电流的所述电流数值是否相应地改变为高于第三门限值，其中所述第三门限值大于所述第二门限值，而所述第二门限值大于所述第一门限值；
若否，判定所述电阻式随机存取存储单元的所述阻值状态未相应地切换。
4.根据权利要求3所述的电阻式随机存取存储单元的检测方法，其特征在于，若所述存储单元电流的所述电流数值在经历所述设定操作之后已相应地改变为高于所述第三门限值，对所述电阻式随机存取存储单元进行所述多个重置操作，并判断所述存储单元电流的所述电流数值是否在经历所述多个重置操作之一后相应地切换为低于所述第一门限值；
若是，判定所述电阻式随机存取存储单元的所述阻值状态已相应地切换；以及
若否，判定所述电阻式随机存取存储单元的所述阻值状态未相应地切换。
5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储单元的检测方法，其特征在于，对所述电阻式随机存取存储单元进行所述多个重置操作及所述设定操作的至少其中之一者，并判断所述电阻式随机存取存储单元的所述阻值状态是否在经历所述多个重置操作及所述设定操作的至少其中之一者之后相应地切换的步骤包括：
当所述存储单元电流的所述电流数值介于第二门限值及第三门限值之间，或是大于第四门限值时，对所述电阻式随机存取存储单元进行所述多个重置操作，并判断所述存储单元电流的所述电流数值是否在经历所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林立伟，陈俞安，李冠毅，曾宣宝，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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