【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法本申请要求于2018年6月29日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0076112号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及存储器装置及其操作方法，更具体地讲，涉及能够从一个或多个存储器单元稳定地接收功率的相变存储器装置及其控制方法。
技术介绍
根据对存储器装置的高容量和低功耗的需求，已经对非易失性的并且不需要刷新的下一代存储器装置进行了研究。这种下一代存储器装置可要求具有动态随机存取存储器(RAM)(DRAM)的高集成度、闪存的非易失性和静态RAM(SRAM)的高性能。诸如相变RAM(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁RAM(MRAM)和铁电RAM(FeRAM)等的存储器装置被认为是符合上述要求的下一代存储器装置。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种相变存储器装置，其中，即使在构成存储器单元的电阻器的电阻值改变时，所述相变存储器装置也向存储器单元提供一致的热(uniformheat)。
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：/n存储器单元阵列，包括多个存储器单元；/n补偿电路，电连接到存储器单元阵列，补偿电路被配置为：生成单元电流以补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。/n
【技术特征摘要】
20180629 KR 10-2018-00761121.一种存储器装置，包括：
存储器单元阵列，包括多个存储器单元；
补偿电路，电连接到存储器单元阵列，补偿电路被配置为：生成单元电流以补偿与所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元连接的信号线的寄生电阻器中生成的电压降。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，补偿电路包括补偿电阻器，并且补偿电路被配置为：在接收到与所述至少一个存储器单元对应的地址时，控制补偿电阻器的电阻的大小。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，补偿电路被配置为：基于将补偿电阻器的电阻的大小调节为等于或基本等于寄生电阻器的电阻值来增大单元电流的大小。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，还包括：
功率补偿电阻器，与所述多个存储器单元之中的每个存储器单元对应，其中，所述功率补偿电阻器的电阻值随着选择的存储器单元的单元电阻值增大而增大。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述功率补偿电阻器连接到与选择的存储器单元连接的位线和字线中的至少一条，所述功率补偿电阻器的电阻值大于选择的存储器单元的最小电阻值并小于选择的存储器单元的最大电阻值。
6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，补偿电路还包括功率补偿电阻器，并且补偿电路还被配置为基于调节所述功率补偿电阻器的电阻值来控制供应给存储器单元的功率。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：
电力生成器，其中，补偿电路被配置为：基于补偿电阻器生成单元电流，其中，单元电流基于施加到选择的存储器单元的第一电压和从电力生成器施加到补偿电路的第二电压。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，还包括：
控制逻辑，其中，补偿电路包括：第一补偿电阻器、第二补偿电阻器和第三补偿电阻器，补偿电路被配置为：从第一端子接收第二电压并从第二端子接收第三电压，其中，第一补偿电阻器和第二补偿电阻器连接到第一端子，第三补偿电阻器连接到第二端子。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，施加到选择的存储器单元的电压等于从电力生成器施加到补偿电路的第二电压和第三电压。
10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，
补偿电路包括电流镜，其中，电流镜被配置为生成在补偿电阻器中流动的与单元电流在大小上相等的电流，
电流镜包括第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管电连接到所述至少一个存储器单元，第二晶体管电连接到补偿电路。
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，
补偿电路包括运算放大器，其中，运算放大器被配置为：
接收第一节点电压，其中，第一节点电压是通过从补偿电路的外部施加到所述至少一个存储器单元的第一电压减去由于所述至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员：威凯特玛娜·安格萨尼，林智薰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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