【技术实现步骤摘要】
忆阻器存储芯片及其操作方法
本专利技术属于存储器领域，更具体地，涉及一种忆阻器芯片及其操作方法。
技术介绍
通过对以忆阻材料为基底的存储器材料施加适当的电压，来使忆阻材料在高阻和低阻之间进行转换，其中低阻态是导电通路形成的状态，具有低阻值，相反高阻态则是导电通路断开的状态，具有高阻值，因此可以通过高低阻来储存数据。同样的，也存在多个阻态的忆阻器，既一个忆阻单元能存储多个值。忆阻器的存储和读取操作包括多种幅值大小不同的电压，例如忆阻器读写操作中最基本的操作为set(写1)和reset(写0)操作，对于忆阻器的各种操作，需要快速准确地在忆阻器电极端加上电压，其中多阻态忆阻器的操作则是加多个相应的set或者reset脉宽来达到相应的电阻态。这种电压的调配需要控制逻辑的紧密配合，并且需要在忆阻器相应被选中的存储单元上施加合适的操作电压，从而实现存储功能，如果在操作电压上有失准，会使得忆阻器的存储寿命变短，失效几率变高，使得读出数据失准。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种...
【技术保护点】
1.一种忆阻器芯片，其特征在于，所述芯片包括电源管理模块(6)，译码模块(2)，包含若干存储阵列的存储模块(1)，逻辑控制模块(4)，读写模块(5)，I/O模块(7)；/n所述逻辑控制模块(4)为所述芯片提供控制信号，所述译码器模块(2)接收所述逻辑控制模块(4)的控制对待操作的存储阵列执行选址，所述读写模块(5)在选址后依据所述逻辑控制模块(4)提供的控制信号对存储阵列执行相应的操作，所述接口模块(7)用于将所述读写模块(5)读出的数据输出，所述译码模块(2)的字线译码器(23)与所述存储模块(1)之间设置有字线电压转化模块(3)，以此方式，输入至存储阵列中的字线晶体管(...
【技术特征摘要】
1.一种忆阻器芯片，其特征在于，所述芯片包括电源管理模块(6)，译码模块(2)，包含若干存储阵列的存储模块(1)，逻辑控制模块(4)，读写模块(5)，I/O模块(7)；
所述逻辑控制模块(4)为所述芯片提供控制信号，所述译码器模块(2)接收所述逻辑控制模块(4)的控制对待操作的存储阵列执行选址，所述读写模块(5)在选址后依据所述逻辑控制模块(4)提供的控制信号对存储阵列执行相应的操作，所述接口模块(7)用于将所述读写模块(5)读出的数据输出，所述译码模块(2)的字线译码器(23)与所述存储模块(1)之间设置有字线电压转化模块(3)，以此方式，输入至存储阵列中的字线晶体管(13)栅极的电压是经过调节后的电压。
2.如权利要求1所述的忆阻器芯片，其特征在于，所述字线电压转化电路(3)将输入所述字线晶体管(13)的栅极电压依据限流大小进行设定，包括如下参数：忆阻器存储单元高低阻，所述字线晶体管(13)参数包括宽长比、工艺导通电压Vth。
3.如权利要求1或2中所述的忆阻器芯片，其特征在于，所述字线电压转化电路(3)由第一MOS管(31)及第二MOS管(32)组成，其中有待转化的输入信号同时输入第一MOS管(31)及第二MOS管(32)的栅极，其中第一MOS管(31)的漏极接第二MOS管(32)的源极，其中第二MOS管(32)的漏极接地，第一MOS管(31)的源极输出为转化后的电压。
4.如权利要求1或2中所述的忆阻器芯片，其特征在于，所述字线电压转化电路(3)有第三MOS管(33)、第四MOS管(34)、第五MOS管(35)、第六MOS管(36)，反相器(37)，转化前的电压同时输入至第五MOS管(35)、并经过所述反相器(37)后输入至第六MOS管(36)的栅极，所述第五MOS管(35)、第六MOS管(36)的漏极同时连接接地，第五MOS管(35)源极接第三MOS管(33)的漏极，第六MOS管(36)的源极接第四MOS管(34)的漏极，第五MOS管(35)源极接第三MOS管(33)的漏极之间的电压输入至第四MOS管的栅极，其中第三MOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员：王兴晟，黄恩铭，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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