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忆阻器存储芯片及其操作方法技术
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文档序号:23346476
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本发明公开了一种忆阻器芯片及其操作方法,包括电源管理模块,译码模块,存储模块,逻辑控制模块,读写模块,I/O模块;读写模块在选址后依据逻辑控制模块提供的控制信号对存储阵列执行相应的操作,接口模块用于将读写模块读出的数据输出,译码模块的行译码...
该专利属于华中科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过华中科技大学授权不得商用。
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