【技术实现步骤摘要】
借助忆阻器刷新存储的数据
本专利技术涉及一种用于忆阻器-存储器的操控单元，该操控单元具有用于刷新所存储的数据的附加功能。
技术介绍
忆阻器(Memristor)是一种非易失性存储元件，当施加确定的电流/时间特性曲线时，该忆阻器永久地改变其电阻。以这种方式，可以将信息存储在存储元件中。随后，可以从该存储元件再次读取该信息，其方式是：测量该存储元件的电阻。在物理上经常调整出较小的电阻，其方式是：通过为了写入而使用的电流，产生局部更良好导电的路径，该路径引导穿过导电性能较差的基底材料并且同时桥接该基底材料。通过电流的极性转换，可以使这种更良好导电的路径恢复原状。取决于温度，形成更良好导电的路径的原子或化合式量(Formeleinheit)随着时间推移或多或少地强烈倾向于扩散到周围的基底材料中。因此，所存储的信息的长期稳定性受到限制。因此，在DE102014208609A1和DE102014211111A1中提出，定期刷新标称的非易失性存储器(例如忆阻器)，即将所存储的信息重新主动地存储在存储器中。专...
【技术保护点】
1.一种用于存储器(2)的操控单元(1)，所述存储器包括至少一个存储单元(21)，其中，在所述存储单元(21)中，多个离散的能够存储的值(23a-23e)中的一个被编码在忆阻器(22)的电阻值(22a)中，所述操控单元包括：/n测量装置(11)，所述测量装置构造用于测量(110)所述忆阻器(22)的电阻值(22a)；/n离散器(12)，所述离散器构造用于将所述多个离散的能够存储的值(23a-23e)中的一个作为读取值(23)分配(120)给所测量的电阻值(22a)；/n比较单元(13)，所述比较单元构造用于求取所述忆阻器(22)的标称电阻值(24a-24e)与所述忆阻器(2...
【技术特征摘要】
20180807 DE 102018213147.31.一种用于存储器(2)的操控单元(1)，所述存储器包括至少一个存储单元(21)，其中，在所述存储单元(21)中，多个离散的能够存储的值(23a-23e)中的一个被编码在忆阻器(22)的电阻值(22a)中，所述操控单元包括：
测量装置(11)，所述测量装置构造用于测量(110)所述忆阻器(22)的电阻值(22a)；
离散器(12)，所述离散器构造用于将所述多个离散的能够存储的值(23a-23e)中的一个作为读取值(23)分配(120)给所测量的电阻值(22a)；
比较单元(13)，所述比较单元构造用于求取所述忆阻器(22)的标称电阻值(24a-24e)与所述忆阻器(22)的所测量的电阻值(22a)之间的差值(24)，其中，所述标称电阻值对应于所述读取值(23)；
驱动器(14)，所述驱动器构造用于基于所求取的差值(24)给所述忆阻器(22)施加(140)电流/时间特性曲线(25)，所述电流/时间特性曲线朝所述标称电阻值(24a-24e)的方向驱动所述忆阻器(22)的实际电阻值(22a)，从而刷新所述存储单元(21)，其中，所述标称电阻值对应于所述读取值(23)。
2.根据权利要求1所述的操控单元(1)，其中，所述离散器(12)构造用于将至少三个不同的能够存储的值(23a-23e)中的一个作为读取值(23)分配给所测量的电阻值(22a)。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的操控单元(1)，其中，所述忆阻器(22)的标称电阻值(24a-24e)和所述忆阻器(22)的所测量的电阻值(22a)都以模拟的形式存在，并且所述比较单元(13)构造用于以模拟的形式输出(150)所述差值(24)。
4.根据权利要求3所述的操控单元(1)，其中，所述驱动器(14)具有模拟电路，所述模拟电路用于将所述差值(24)转换成所述电流/时间特性曲线(25)。
5.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·基希纳，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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