【技术实现步骤摘要】
用于补偿电阻存储器设备的劣化的方法和系统相关申请的交叉引用本申请要求2018年8月7日向韩国知识产权局提交的第10-2018-0092049号的韩国专利申请的权益，该申请的公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及非易失性存储器设备，并且更具体地，涉及补偿电阻存储器设备的劣化的方法。
技术介绍
诸如相变RAM(PhaseChangeRAM，PRAM)、电阻RAM(ResistiveRAM，RRAM)和磁RAM(MagneticRAM，MRAM)的电阻存储器设备被称为非易失性存储器设备。在这种电阻存储器设备中，根据电阻条件的变化存储数据的可变电阻器件被用作存储器单元。电阻存储器设备包括交叉点型电阻存储器设备。交叉点型电阻存储器设备可以通过将存储器设备的存储器单元放置在多个位线和多个字线彼此交叉的交叉点处来形成。电阻存储器设备可以通过向存储器单元的两个相对端子施加电压来访问其中的存储器单元，并且被访问的存储器单元可以参考存储器单元的阈值电阻来存储逻辑“1(设定数据)”(低电阻状态)或逻辑“0(复位数据)”
【技术保护点】
1.一种操作存储器控制器的方法，所述存储器控制器被配置为控制电阻存储器设备，所述电阻存储器设备包括多个存储器单元，所述方法包括：/n控制所述电阻存储器设备将所述多个存储器单元编程为第一电阻状态；/n控制所述电阻存储器设备对被编程为所述第一电阻状态的所述多个存储器单元执行读取操作；/n从所述电阻存储器设备接收指示所述多个存储器单元的劣化程度的指示符；以及/n基于所述指示劣化程度的指示符，控制所述多个存储器单元基于使用具有大于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流被编程为所述第一电阻状态，其中所述最小写入电流是将所述多个存储器单元编程为所述第一电阻状态所必要的。/n
【技术特征摘要】
20180807 KR 10-2018-00920491.一种操作存储器控制器的方法，所述存储器控制器被配置为控制电阻存储器设备，所述电阻存储器设备包括多个存储器单元，所述方法包括：
控制所述电阻存储器设备将所述多个存储器单元编程为第一电阻状态；
控制所述电阻存储器设备对被编程为所述第一电阻状态的所述多个存储器单元执行读取操作；
从所述电阻存储器设备接收指示所述多个存储器单元的劣化程度的指示符；以及
基于所述指示劣化程度的指示符，控制所述多个存储器单元基于使用具有大于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流被编程为所述第一电阻状态，其中所述最小写入电流是将所述多个存储器单元编程为所述第一电阻状态所必要的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中
所述指示符指示对与误码率BER相对应的所述多个存储器单元进行的编程操作的数量，其中所述误码率BER是在对所述多个存储器单元的读取操作中发生的。
3.根据权利要求2所述的方法，其中
根据用于对所述多个存储器单元进行读取操作的读取电压的电平来确定所述BER。
4.根据权利要求1所述的方法，其中
所述指示符指示将所述多个存储器单元编程为所述第一电阻状态的编程操作的数量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中
所述多个存储器单元包括多个单级单元，并且
所述第一电阻状态是高电阻状态或低电阻状态。
6.根据权利要求5所述的方法，其中
所述写入电流的电流电平大于最小复位写入电流的电流电平，该最小复位写入电流是将所述多个存储器单元改变为所述高电阻状态所必要的。
7.根据权利要求5所述的方法，其中
所述写入电流的电流电平大于最小设定写入电流的电流电平，该最小设定写入电流是将所述多个存储器单元改变为所述低电阻状态所必要的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中
所述多个存储器单元包括多个多级单元，并且
所述第一电阻状态是多个电阻状态中的一个电阻状态。
9.根据权利要求8所述的方法，其中
所述第一电阻状态是所述多个电阻状态中的高电阻状态，并且
所述写入电流的电流电平大于最小复位写入电流的电流电平，所述最小复位写入电流是将所述多个存储器单元改变为所述高电阻状态所必要的。
10.根据权利要求8所述的方法，其中
所述第一电阻状态是所述多个电阻状态中的低电阻状态，并且
所述写入电流的电流电平大于最小设定写入电流的电流电平，该最小设定写入电流是将所述多个存储器单元改变为所述低电阻状态所必要的。
11.一种电阻存储器设备，包括：
存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；
写入电路，其被配置为通过使用根据控制电压的写入电流来执行写入操作，以将所述多个存储器单元编程为第一电阻状态；
读取电路，其被配置为执行读取操作以从被编程为所述第一电阻状态...
【专利技术属性】
技术研发人员：白承柔，朱汉城，金起圣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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