闪存的数据写入方法与其控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种闪存的数据写入方法与其控制装置，所述闪存包括有多个多层单元，其中每一个多层单元可用来储存多个位，所述方法包括有：分别对所述多个多层单元中的每一个多层单元储存一第一位；判断所述每一个多层单元是否都分别储存了所述第一位；以及当所述每一个多层单元都分别储存了所述第一位时，分别对所述每一个多层单元储存一第二位。本发明专利技术可大幅减少所述闪存内满载数据被抹去的次数，并增加所述闪存内未满载数据被抹去的次数，以提高所述闪存的写入速度和使用寿命。

Data writing method and control device of flash memory

【技术实现步骤摘要】
闪存的数据写入方法与其控制装置本申请要求2015年03月31日提交的中国专利申请号201510148225.6的权利，所述专利文献进一步以中国台湾专利申请号103140545的申请日2014年11月21日作为优先权日，并且在此被完全引述作为参考。
本专利技术涉及一闪存的数据写入方法与其控制装置，尤其涉及提高一闪存的使用寿命与操作速度的方法与其控制装置。
技术介绍
一般而言，当一闪存控制电路将一数据写入一闪存内的一个记忆单元时，所述闪存控制电路会先将之前储存在所述记忆单元内的数据抹去，接着才将所述数据写入所述记忆单元内。然而此一作法将会拖慢所述闪存的数据写入速度，因为所述闪存控制电路必须要花时间来将之前储存在所述记忆单元内的数据抹去。再者，一般而言，一闪存的使用寿命是受限于所述闪存的写入与抹去次数。若所述闪存的写入与抹去次数越高，则所述闪存的使用寿命就越低。总言之，若所述闪存的写入与抹去次数越少，则所述闪存的使用寿命就越高。因此，如何同时提高所述闪存的数据写入速度以及使用寿命已成为此领域所亟需解决的问题。>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种闪存的数据写入方法，其特征在于，所述闪存包括有多个多层单元，其中每一个多层单元可用来储存多个位，所述方法包括有：/n平均地将一组数据分别储存于所述多个多层单元中的每一个多层单元的一第n位，其中n是大于0的正整数；/n判断所述每一个多层单元的所述第n位是否都分别储存数据；以及/n当所述每一个多层单元的所述第n位都分别储存了所述第一位时，分别对所述每一个多层单元的第n+1位进行储存；/n其中，平均地将所述组数据分别储存于所述每一个多层单元的所述第n位的步骤包括针对所述每一个多层单元进行以下操作：/n判断要被写入所述多层单元的所述第n位的数据的数据极性，以决定是否对所述多层单元的注入电荷量；...

【技术特征摘要】
20141121 TW 1031405451.一种闪存的数据写入方法，其特征在于，所述闪存包括有多个多层单元，其中每一个多层单元可用来储存多个位，所述方法包括有：
平均地将一组数据分别储存于所述多个多层单元中的每一个多层单元的一第n位，其中n是大于0的正整数；
判断所述每一个多层单元的所述第n位是否都分别储存数据；以及
当所述每一个多层单元的所述第n位都分别储存了所述第一位时，分别对所述每一个多层单元的第n+1位进行储存；
其中，平均地将所述组数据分别储存于所述每一个多层单元的所述第n位的步骤包括针对所述每一个多层单元进行以下操作：
判断要被写入所述多层单元的所述第n位的数据的数据极性，以决定是否对所述多层单元的注入电荷量；其中若所述数据极性为一第一极性，则不对所述多层单元的一浮栅注入一第一电荷量；以及若所述数据极性为一第二极性，则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第一电荷量，所述第二极性不同于所述第一极性。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述每一个多层单元而言，所述第n位是所述多层单元所储存的一最大有效位以及所述第n+1位是所述多层单元所储存的一最小有效位。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述每一个多层单元而言，所述第n位是所述多层单元所储存的一最小有效位以及所述第n+1位是所述多层单元所储存的一最大有效位。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括有：
判断所述每一个多层单元是否都分别储存了所述第n+1位；以及
当所述每一个多层单元都分别储存了所述第n+1位时，分别对所述每一个多层单元的第n+2位储存数据一。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述每一个多层单元而言，所述第n位是所述多层单元所储存的一最大有效位，所述第n+1位是所述多层单元所储存的一第二有效位，以及所述第n+2位是所述多层单元所储存的一最小有效位。


6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述每一个多层单元而言，所述第n位是所述多层单元所储存的一最小有效位，所述第n+1位是所述多层单元所储存的一第二有效位，以及所述第n+2位是所述多层单元所储存的一最大有效位。


7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一极性是位1，而所述第二极性是位0；或所述第一极性是位0，而所述第二极性是位1。


8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，分别对所述每一个多层单元储存所述第n+1位的步骤包括有：
针对所述每一个多层单元：
判断要被写入所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第一极性以及若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第一极性，则不对所述多层单元的所述浮栅注入一第二电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第一极性以及若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第二极性，则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第二电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第二极性以及若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第一极性，则不对所述多层单元的所述浮栅注入一第三电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第二极性以及若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第二极性，则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第三电荷量。


9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二电荷量不同于所述第三电荷量。


10.如权利要求4所述的方法，其特征在于，分别对所述每一个多层单元储存所述第n+2位的步骤包括有：
针对所述每一个多层单元：
判断要被写入所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第一极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第一极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第一极性，
则不对所述多层单元的所述浮栅注入一第四电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第一极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第一极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第二极性，
则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第四电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第一极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第二极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第一极性，
则不对所述多层单元的所述浮栅注入一第五电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第一极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第二极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第二极性，
则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第五电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第二极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第一极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第一极性，
则不对所述多层单元的所述浮栅注入一第六电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第二极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第一极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第二极性，
则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第六电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第二极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第二极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第一极性，
则不对所述多层单元的所述浮栅注入一第七电荷量；
若所述多层单元的所述第n位的所述数据极性为所述第二极性、若所述多层单元的所述第n+1位的所述数据极性为所述第二极性、以及
若所述多层单元的所述第n+2位的所述数据极性为所述第二极性，
则对所述多层单元的所述浮栅注入所述第七电荷量。


11.如权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗杰，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71