半导体装置结构的形成方法制造方法及图纸

提供半导体装置的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法还包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨工艺薄化导电材料。化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。

Forming method of semiconductor device structure

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构的形成方法
本专利技术实施例关于半导体装置结构的形成方法，更特别关于化学机械研磨浆料的组成。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路均比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如采用的制作工艺所产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。然而这些演进会增加处理与形成集成电路的复杂性。由于结构尺寸持续缩小，越来越难以进行制作工艺。如此一来，形成越来越小的可信半导体装置面临挑战。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体装置结构的形成方法，包括形成导电结构于半导体基板上；形成介电层于导电结构上；形成开口于介电层中，以露出导电结构；形成导电材料以超填开口；以及采用化学机械研磨工艺薄化导电材料，其中化学机械研磨工艺所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部分。本专利技术一实施例提供的半导体装置结构的形成方法，包括：形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：/n形成一导电结构于一半导体基板上；/n形成一介电层于该导电结构上；/n形成一开口于该介电层中，以露出该导电结构；/n形成一导电材料以超填该开口；以及/n采用一化学机械研磨工艺薄化该导电材料，其中该化学机械研磨工艺所用的一研磨液包括一含铁氧化剂，且该含铁氧化剂氧化该导电材料的一部分。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,319;20190624 US 16/450,6651.一种半导体装置结构的形成方法，包括：
形成一导电结构于一半导体基板上；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴历杰，陈科维，魏国修，张棠贵，李佳璇，林建锜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71