一种芯片抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片抛光方法，先通过化学抛光和机械抛光的结合方法对芯片进行抛光，通过抛光剂与机械的结合进行粗抛、细抛，有利于降低纯化学抛光的化学剂的使用剂量，同时在机械的抛光作用下与利于增加化学抛光剂与芯片的渗透效率，最后采用硅溶胶溶液和机械的配合进行精抛，添加的硅溶胶有利于在芯片的表面形成保护膜，同时对硅溶胶之间的粘附性能有利于防止由于机械转速增大导致硅溶胶溶液与晶粒之间的机械作用不均匀而导致最后研磨的不均匀性，整个制备过程在现有抛光技术中通过增加抛光工序和抛光剂的选择，一方面有利于提高抛光的均匀性，另一方面减少抛光过程中过多的使用抛光剂导致环境的污染。

A method of chip polishing

【技术实现步骤摘要】
一种芯片抛光方法
本专利技术涉及芯片抛光
，特别是指一种芯片抛光方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断进步，半导体芯片制造厂商和设备供应商面临的制造工艺创新挑战越来越大。为了满足设备的装备加工的要求，外延片在制备成芯片的过程中，必须要经过减薄处理。随着对芯片厚度要求的越来越严苛，芯片减薄工艺成为决定芯片销售的主要因素。芯片在经过减薄处理后，由于表面应力的残留，芯片易出现翘曲过大的情况，给后续加工带来较大的困难，对芯片表面进行抛光可有效的减少芯片表面损伤层，进而使芯片加工质量得到提高。在芯片抛光方面，多是采用机械抛光或化学抛光方法进行芯片抛光。申请研究发现，机械抛光存在效率低，且表面均匀性差的问题，而化学抛光方法，由于化学废液的回收难和处理难，导致在生产过程中产生大量的环境污染物，不符合企业绿色生产的标准。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种芯片抛光方法，用于提升抛光均匀性，降低环境污染。基于上述目的本专利技术提供的一种芯片抛光方法，包括如下步骤：粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环转动，带动所述双修盘环的内环转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；精抛：将细抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。可选的，所述粗抛和细抛均使用抛光剂，所述抛光剂采用分批添加，添加频率为3～7次/min，添加量为1.5～3.5mL/次。可选的，所述抛光机与所述修盘环之间铺设有抛光垫，所述抛光垫为毛毡，厚度为1.5～1.8mm。可选的，所述抛光垫表面开设有若干同心环沟槽，所述同心环沟槽之间贯穿有若干放射状沟槽，所述放射状沟槽的汇集点为所述同心环沟槽的圆心。可选的，所述双修盘环的内环与外环的半径比为2.5～4:1。可选的，所述清洗的操作步骤为将芯片先放于丙酮中浸泡2～5min，再放入无水乙醇中浸泡2～5min。可选的，所述硅溶胶溶液中料液比为1～4:1。从上面所述可以看出，本专利技术提供的一种芯片抛光方法，先通过化学抛光和机械抛光的结合方法对芯片进行抛光，通过抛光剂与机械的结合进行粗抛、细抛，有利于降低纯化学抛光的化学剂的使用剂量，同时在机械的抛光作用下与利于增加化学抛光剂与芯片的渗透效率，两者的结合提高抛光效率，同时在抛光剂的在芯片与机械直接形成的膜有利于对芯片表面形成保护，粗抛和细抛均是为精抛做准备的，最后采用硅溶胶溶液和机械的配合进行精抛，添加的硅溶胶有利于在芯片的表面形成保护膜，同时对硅溶胶之间的粘附性能有利于防止由于机械转速增大导致硅溶胶溶液与晶粒之间的机械作用不均匀而导致最后研磨的不均匀性，整个制备过程在现有抛光技术中通过增加抛光工序和抛光剂的选择，一方面有利于提高抛光的均匀性，另一方面减少抛光过程中过多的使用抛光剂导致环境的污染。附图说明图1为本专利技术实施例的抛光垫表面结构示意图；1-抛光垫，2-同心环沟槽，3-放射状沟槽。具体实施方式为下面通过对实施例的描述，本专利技术的具体实施方式如所涉及的制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。为了解决现有技术中芯片的抛光技术中的不均匀性以及使用化学试剂对环境的污染等性能。本专利技术提供的一种芯片抛光方法，包括如下步骤：粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环的转动，带动所述所述双修盘环的内环的转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；精抛：将粗抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。先通过化学抛光和机械抛光的结合方法对芯片进行抛光，通过抛光剂与机械的结合进行粗抛、细抛，有利于降低纯化学抛光的化学剂的使用剂量，同时在机械的抛光作用下与利于增加化学抛光剂与芯片的渗透效率，两者的结合提高抛光效率，同时在抛光剂的在芯片与机械直接形成的膜有利于对芯片表面形成保护，粗抛和细抛均是为精抛做准备的，最后采用硅溶胶溶液和机械的配合进行精抛，添加的硅溶胶有利于在芯片的表面形成保护膜，同时对硅溶胶之间的粘附性能有利于防止由于机械转速增大导致硅溶胶溶液与晶粒之间的机械作用不均匀而导致最后研磨的不均匀性，整个制备过程在现有抛光技术中通过增加抛光工序和抛光剂的选择，一方面有利于提高抛光的均匀性，另一方面减少抛光过程中过多的使用抛光剂导致环境的污染。具体的本专利技术实施例1提供的一种芯片抛光方法，包括如下步骤：粗抛：将载料盘(直径80mm)置于加热台上加热，至一定温度后，恒温一段时间，取石蜡棒均匀涂抹于载料盘边缘的位置上，将芯片分别置于石蜡上轻轻按压，至芯片处于水平状态，关闭加热台并将载料盘取下待其冷却至室温，将厚度为1.65mm的毛毡抛光布置于抛光机的抛光盘上并将其压平，放上修盘环(90mm)，将修盘环置于抛光机两支架滚轮之间使其不会移动；之后在修盘环内均匀喷撒2mL抛光剂，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速135r/min，压力12N，抛光13min，抛光过程中不断加入抛光剂以保证抛光剂的充足性取下芯片清洗后，添加频率为5次/min，添加量为2～3mL/次，抛光剂应沿着载料盘的转动轨迹方向加入，取下芯片，将芯片先放于丙酮中浸泡2～5min，再放入无水乙醇中浸泡2～5min，取出，氮气吹干；细抛：将载料盘(直径25mm)置于加热台上加热，至一定温度后，恒温一段时间，取石蜡棒均匀涂抹于载料盘边缘的位置上，将芯片分别置于石蜡上轻轻按压，至芯片处于水平状态，关闭加热台并将载料盘取下待其冷却至室温，将厚度为1.65mm的毛毡抛光布置于抛光机的抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：/n粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；/n细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环转动，带动所述双修盘环内环转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；/n精抛：将细抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
粗抛：先将载料盘进行预热，然后将芯片进行固定并停止加热，将载料盘固定在抛光机上修盘环内，在转速120～150r/min，压力10～15N，抛光10～15min，取下芯片清洗后，氮气吹干；
细抛：将粗磨后的芯片固定在预热的载料盘中，然后将载料盘采用双修盘环进行固定抛光，所述载料盘固定在所述双修盘环的内环上，所述双修盘环的外环固定在抛光机上，通过所述双修盘环的外环转动，带动所述双修盘环内环转动对芯片进行细抛，所述细抛的转速为120～150r/min，压力0.5～4.5N，细抛5～10min，取下芯片清洗后，氮气吹干；
精抛：将细抛后的芯片，采用细抛同样的固定方式进行固定，然后在转速为80～100r/min，压力0.5～4.5N，精抛4～8min，同时，在精抛的过程中，向抛光盘的表面滴加硅溶胶溶液，滴加速度为0.5～1滴/s，精抛后，取下芯片清洗后，氮气吹干。


2.根据权利要求1所述的芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：嵇群群，孙永武，
申请(专利权)人：芜湖德锐电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34