芯片制造方法技术

提供芯片制造方法，抑制芯片的制造成本增大并防止芯片的品质降低。该方法将包含Si的晶片分割而制造芯片，该晶片在正面侧具有器件和金属层，该器件形成于由多条分割预定线划分的区域内，该金属层包含Cu，形成于分割预定线上，该芯片制造方法包含如下步骤：保护膜形成步骤，在晶片的正面侧形成保护膜；激光加工槽形成步骤，在实施了保护膜形成步骤之后，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束，将金属层去除并在晶片上形成加工槽；肥大化促进步骤，在实施了激光加工槽形成步骤之后，促进因加工槽的形成而产生并且附着于加工槽的内部的碎屑的肥大化；和分割步骤，在实施了肥大化促进步骤之后，沿着加工槽将晶片分割。

Chip manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
芯片制造方法
本专利技术涉及对晶片进行分割而制造芯片的芯片制造方法。
技术介绍
在半导体器件芯片的制造工序中，使用在由分割预定线(间隔道)划分的区域内分别形成有IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(LargeScaleIntegration：大规模集成)等器件的半导体晶片。沿着分割预定线对该半导体晶片进行分割，从而得到分别具有器件的多个半导体器件芯片。同样地，对形成有LED(LightEmittingDiode：发光二极管)等光器件的光器件晶片进行分割，从而制造出光器件芯片。在以上述的半导体晶片或光器件晶片等为代表的晶片的分割中例如使用切削装置，该切削装置具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；以及主轴，其安装对晶片进行切削的圆环状的切削刀具。通过卡盘工作台对晶片进行保持，使切削刀具旋转而切入至晶片，从而将晶片切断。有时在晶片的分割预定线上形成构成器件的布线及电极等的金属层的一部分。当使切削刀具切入至这样的晶片时，形成于分割预定线的金属层与旋转的切削刀具接触而被拉长，产生须状的飞边。该飞边会成为通过晶片的分割本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片制造方法，对包含Si的晶片进行分割而制造芯片，该晶片在正面侧具有器件和金属层，该器件形成于由多条分割预定线划分的区域内，该金属层包含Cu，形成于该分割预定线上，该芯片制造方法的特征在于，/n包含如下的步骤：/n保护膜形成步骤，在该晶片的正面侧形成保护膜；/n激光加工槽形成步骤，在实施了该保护膜形成步骤之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，一边将该金属层去除一边在该晶片上形成加工槽；/n肥大化促进步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，促进因该加工槽的形成而产生并且附着于该加工槽的内部的碎屑的肥大化；以及/n分割步骤，在实施了该肥大化促进步骤之...

【技术特征摘要】
20180731 JP 2018-1431261.一种芯片制造方法，对包含Si的晶片进行分割而制造芯片，该晶片在正面侧具有器件和金属层，该器件形成于由多条分割预定线划分的区域内，该金属层包含Cu，形成于该分割预定线上，该芯片制造方法的特征在于，
包含如下的步骤：
保护膜形成步骤，在该晶片的正面侧形成保护膜；
激光加工槽形成步骤，在实施了该保护膜形成步骤之后，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，一边将该金属层去除一边在该晶片上形成加工槽；
肥大化促进步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，促进因该加工槽的形成而产生并且附着于该加工槽的内部的碎屑的肥大化；以及
分割步骤，在实施了该肥大化促进步骤之后，沿着该加工槽对该晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：源田悟史，小川雄辉，小田中健太郎，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP