一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，包括：在切割设备上预先输入晶圆的厚度，设定第一次切割晶圆的深度和低速移动切割速度；设定第二次切割晶圆的深度和快速移动切割速度；按设定对晶圆进行第一次切割；按设定对晶圆进行第二次切割，以使晶圆被切割分离成若干芯片颗粒。本发明专利技术改善了单轴切割情况下晶圆颗粒的切割品质，使芯片颗粒在应用时的功能品质更加稳定，能够更好地满足需求。

A processing method of single axis step cutting wafer

【技术实现步骤摘要】
一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法
本专利技术涉及晶圆切割
，更具体地说是指一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法。
技术介绍
目前在单轴切割机上的封装切割产品中，一般采用直接1次切穿，但是，会遇到以下问题：1、按照晶圆厚度直接1次切穿，切割刀片及晶圆表面均受力大，容易引起晶圆切割道正面保护层或TEG的离起，从而引起品质问题；2、按照晶圆厚度直接1次切穿，晶圆背面和侧面在切割刀旋转切割中因受力容易引起不达标的背崩和侧崩，从而引起产品稳定性功能品质问题；3、对于一些厚度较大的晶圆，直接切穿，在高旋转下受力也会引起刀片变形。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法。为实现上述目的，本专利技术采用于下技术方案：一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，包括以下步骤：在切割设备上预先输入晶圆的厚度，设定第一次切割晶圆的深度和低速移动切割速度；设定第二次切割晶圆的深度和快速移动切割速度；按设定对晶圆进行第一次切割；按设定对晶圆进行第二次切割，以使晶圆被切割分离成若干芯片颗粒。其进一步技术方案为：所述晶圆的厚度为50μm-200μm。其进一步技术方案为：第一次切割晶圆的深度为晶圆厚度的2/3，低速移动切割速度为10-20毫米/秒。其进一步技术方案为：第二次切割晶圆的深度为晶圆厚度的1/3，快速移动切割速度为20-40毫米/秒。其进一步技术方案为：所述“按设定对晶圆进行第一次切割”步骤中，完成第一次切割后，切割设备将切割刀片抬起，进行移动切割速度调节，将切割刀片由低速移动切割速度调节至快速移动切割速度。其进一步技术方案为：所述切割刀片为金刚石刀片。本专利技术与现有技术相比的有益效果是：改善了单轴切割情况下晶圆颗粒的切割品质，使芯片颗粒在应用时的功能品质更加稳定，能够更好地满足需求。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的单轴分步切割晶圆的加工工艺方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。还应当理解，在此本专利技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本专利技术。如在本专利技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。请参阅图1所示的具体实施例，本专利技术公开了一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，包括以下步骤：S1，在切割设备上预先输入晶圆的厚度，设定第一次切割晶圆的深度和低速移动切割速度；S2，设定第二次切割晶圆的深度和快速移动切割速度；S3，按设定对晶圆进行第一次切割；S4，按设定对晶圆进行第二次切割，以使晶圆被切割分离成若干芯片颗粒。其中，在本实施例中，所述晶圆的厚度为50μm-200μm。其中，第一次切割晶圆的深度为晶圆厚度的2/3，低速移动切割速度为10-20毫米/秒，减轻了晶圆的正面受力，降低保护层或TEG离起风险，避免晶圆正面品质出现问题。进一步地，在第一次切割过程中，晶圆切割道的保护层材质黏贴切割刀片会在第一次切割过程中自动研磨掉，使得在切割第二次时不会影响背崩。其中，第二次切割晶圆的深度为晶圆厚度的1/3(为晶圆第一次切割后的剩余厚度)，快速移动切割速度为20-40毫米/秒，使得第二次切割过程中晶圆背部受力减少，侧/背崩就控制在晶圆的1/3厚度以内，达到标准控制。其中，在本实施例中，切割设备为单轴切割机。其中，所述“按设定对晶圆进行第一次切割”步骤中，完成第一次切割后，切割设备将切割刀片抬起，进行移动切割速度调节，将切割刀片由低速移动切割速度调节至快速移动切割速度，再将切割刀片放下，准备进行第二次切割。其中，在本实施例中，所述切割刀片为金刚石刀片，快速高效，且不易变形。本专利技术主要用于单轴切割机及提高改善侧崩和背崩的切割工艺中，不仅提供了晶圆封装单轴切割工艺，且提高了单轴设备的切割良率，优化改善单轴切割情况下的晶圆颗粒的切割品质，以不同的切割晶圆厚度和速度，优化切割晶圆正面崩、侧面崩、背面崩，以达到控制标准内，使芯片颗粒在应用时的功能品质更加稳定，能够更好地满足需求。上述仅以实施例来进一步说明本专利技术的
技术实现思路
，以便于读者更容易理解，但不代表本专利技术的实施方式仅限于此，任何依本专利技术所做的技术延伸或再创造，均受本专利技术的保护。本专利技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在切割设备上预先输入晶圆的厚度，设定第一次切割晶圆的深度和低速移动切割速度；/n设定第二次切割晶圆的深度和快速移动切割速度；/n按设定对晶圆进行第一次切割；/n按设定对晶圆进行第二次切割，以使晶圆被切割分离成若干芯片颗粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
在切割设备上预先输入晶圆的厚度，设定第一次切割晶圆的深度和低速移动切割速度；
设定第二次切割晶圆的深度和快速移动切割速度；
按设定对晶圆进行第一次切割；
按设定对晶圆进行第二次切割，以使晶圆被切割分离成若干芯片颗粒。


2.根据权利要求1所述的一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，其特征在于，所述晶圆的厚度为50μm-200μm。


3.根据权利要求2所述的一种单轴分步切割晶圆的加工工艺方法，其特征在于，第一次切割晶圆的深度为晶圆厚度的2/3，低速...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐辉，
申请(专利权)人：东莞记忆存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44