一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法技术

本发明专利技术公开了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，包括如下步骤：在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。本发明专利技术采用印刷的方式在n型硅片的双面边缘及切割区域印刷蚀刻膏，将非晶硅层和导电膜层去除，提升异质结叠瓦太阳能电池的性能和可靠性，工艺过程简单，利于大规模自动化生产。

A slice method of heterojunction stacked tile solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法
本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法。
技术介绍
叠瓦太阳能组件是一种将传统太阳能电池片切割成2片以上的小片电池，相邻俩个电池片单元的正面主栅和背面背电极重叠，之后以类似导电胶的特殊材料将其串联在一起形成长条电池串，将多个电池组串经过串并联设计，构成高密度的太阳能组件技术。此种太阳能叠瓦组件提升了电流密度的均匀性，降低电流传输阻抗，从而减少了组件内部功耗，同时通过创新型的组串排布消减了常规的片间距，增加了受光面积，因此可提高组件的发电功率以及稳定性。异质结太阳能电池所有制程的加工温度均低于过250℃，在过高温度下异质结太阳能电池的非晶硅层会被破坏，影响太阳能电池的性能。异质结电池片通过激光切割后，激光产生局部高温，在激光切割边缘的非晶硅层受到破坏，切割后的小片电池片的漏电流增大，填充因子降低，影响叠瓦组件的效率与稳定性。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法。为解决上述技术问题，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：/n在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；/n在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；/n在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；/n在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；/n在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
在n型硅片一面沉积薄层本征非晶硅层及n型非晶硅层，另一面沉积薄层本征非晶硅层及p型非晶硅层，并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积导电膜层；
在n型硅片n面与p面的四周及切割区域的导电膜层上印刷蚀刻膏；
在印有蚀刻膏的n型硅片进行烘烤，清洗去除n型硅片上印有蚀刻膏区域的非晶硅层和导电膜层；
在n型硅片导电膜层上形成金属栅线电极；
在n型硅片切割区域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。


2.根据权利要求1所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述导电膜层通过磁控溅射沉积，所述导电膜层为透明导电氧化物膜层或透明导电氧化物膜层和金属膜层的复合膜层。


3.根据权利要求2所述一种异质结叠瓦太阳能电池的切片方法，其特征在于：所述透明导电氧化物膜层包括ITO、AZO、IGZO及掺杂的氧化铟，所述的金属膜层包括Ag、Cu、Ni、Sn及N...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉明，庄辉虎，罗骞，张杰，宋广华，
申请(专利权)人：福建钜能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35